Розглянуто фотоприймач p-i-n Ge з пасивуючим шаром ZnSe. Пасивуючий шар фотоприймача має бути захищений від пилу, крапель дощу та інших зовнішніх впливів. Однак цей пасивуючий шар може спричинити помилки у зображенні фотоприймача. При створенні пасивуючого шару ZnSe на Ge, який використовується у фотоприймачах p-i-n Ge, виявлено дві додаткові фази GeSe та GeSe2, які не суперечать їх діаграмі стану. Вищевказані фази можуть мати суттєвий вплив на характеристики пасивуючого шару. Тому для вивчення електричного опору цього шару створено модельні зразки шарів, що містять GeSe та GeSe2 товщиною 0,5 - 1,8 мкм та площею 1 см<^>2. Для вимірювання електричного опору цих шарів використано пружні контакти. Виконані вимірювання показали, що шари Se на Ge мають проміжний опір між ZnSe на Ge та чистим Ge, і отже, вплив додаткових фаз практично не погіршує пасивуючих властивостей шару ZnSe на Ge.

• Маслов Володимир Петрович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"