Здійснено аналіз характеристик польового транзистора з каналом із циліндричного нанодроту для двох матеріалів каналу, а саме Si та GaAs. Характеристики транзистора GAA-NW-MOSFET з нанодротами Si та GaAs в діапазоні 20 нм досліджено за допомогою симулятора структури ATLAS. Результати моделювання показують, що пристрій з Si має набагато кращу порогову напругу та підпорогове коливання, а пристрій з GaAs має найкраще співвідношення струмів ION/IOFF та менше значення DIBL. Порівнено експлуатаційні характеристики аналогових пристроїв для двох різних матеріалів (Si та GaAs), такі як струм стоку, крутизна, а також вихідна провідність, підпороговий нахил (SS) і порогова напруга пристрою. Встановлено, що матеріал GaAs забезпечує знижений струм приводу та менший струм витоку, даючи високе ION/IOFF. З точки зору SS, матеріал Si забезпечує ідеальну та стабільну роботу пристрою.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"