У поточному розвитку напівпровідникової галузі багатозатворні FETs, як-от тризатворні tri-gate (TG) FinFETs, були стимулом для продовження масштабування пристроїв із технологією нижче 32 нм. Застосування напруженого кремнію ще більше посилило струми приводу. Струми витоку було зменшено за рахунок використання high-k матеріалів, що призвело до поліпшення комутаційних характеристик пристрою. Мотивом роботи є розробка та характеристика пристрою TG n-FinFET з 10 нм каналом, що включає тришаровий канал із напруженим кремнієм та багатошарові high-k діелектричні матеріали як оксид затвора. Електричні характеристики та короткоканальні ефекти (SCEs) усіх пристроїв визначалися шляхом заміни оксиду затвора SiO2 на багатошаровий оксид затвора із 0,5 нм SiO2 та 0,5 нм EOT з різних high-k діелектричних матеріалів, таких як ZrO2, Al2O3, Si3N4 та HfO2. Помічено, що SCEs та характеристики витоку значно покращуються завдяки використанню багатошарових high-k діелектричних матеріалів, таких як HfO2, а деформація в області каналу значно поліпшує струм приводу, не заважаючи SCEs. Таким чином, комбінація діелектриків з напруженого кремнію та HfO2 показала покращання характеристик розробленого пристрою за зменшеної площі інтегральної схеми.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"