Різні дослідження показують, що нітрування поверхні GaAs покращує електричну якість діодів Шотткі на основі арсеніду галію. Для того, щоб спостерігати це покращання, було досліджено характеристики ємність/провідність-напруга на трьох частотах (50, 100 та 500 кГц). Ці характеристики було кореговано шляхом усунення ефекту послідовного опору. Спочатку визначали значення послідовного опору та будували графік його залежності від напруги на різних частотах. Одержані криві показують значні значення послідовного опору з піками, які спостерігаються за близько -0,5 В для частот 50 і 100 кГц і за 0,25 В для 500 кГц. Ці піки пов'язані з омічним зворотним контактом і щільністю поверхневих станів. Потім було розраховано електричні властивості виготовленого діода Шотткі та оцінено щільність поверхневих станів діода Шотткі з ефектом послідовного опору та без нього. Щільність поверхневих станів значно зменшилася після усунення ефекту послідовного опору. Електричні параметри демонструють покращання електричної якості виготовленого діода Шотткі Au/GaN/GaAs.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"