Однією з основних характеристик напівпровідників є те, що вони можуть бути леговані домішками для зміни їх електричних властивостей. Властивості напівпровідників характеризуються зонною теорією. Ця модель стверджує, що електрон у твердому тілі може приймати значення енергії лише у певних діапазонах, які називаються дозволеними зонами, що розділені іншими зонами, які називаються забороненими зонами. Ці матеріали в основному використовуються в електроніці (діоди, транзистори тощо), мікроелектроніці для інтегральних схем, в сонячних елементах та оптоелектронних пристроях, таких як світлодіоди. Напівпровідники III - V представляють значний інтерес через свої властивості, вони міцні, мають високу теплопровідність і пряму заборонену зону. Пристрої та схеми в групі напівпровідників III - V завжди були відомі своєю високою швидкістю, а також дорогим виробництвом та меншою інтеграцією у порівнянні з кремнієвими. У даній роботі моделі ефективної густини станів (Nc і <$EN sub upsilon>) у зоні провідності та валентній зоні, власної густини носіїв ni, температурної залежності енергетичної забороненої зони (Eg) та залежності від легування ширини забороненої зони (Eg) напівпровідників алюмінізованого арсеніду галію (AlxGa1 - xAs) проаналізовано за допомогою MATLAB для різних значень x (<$E0~symbol Г~x~symbol Г~1>).

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"