Дисертація присвячена з'ясуванню впливу фонових та радіаційно-стимульованих дефектів на електрофізичні властивості GaAs, CdTe, CdZnTe та характеристики детекторів ядерних випромінювань на основі цих сполук. За допомогою алгоритму, створеного на основі моделі компенсації у поєднанні з моделями розсіювання і рекомбінації, обчислювали положення рівня Фермі F, питомий опір р, електронну рухливість µn, час життя нерівноважних носіїв заряду τ в залежності від концентрації багатозарядних донорів та акцепторів, їх енергетичного положення в забороненій зоні напівпровідника, неоднорідностей легування в широкому температурному інтервалі. Проведено чисельне дослідження поведінки µn, р, F, τ і ефективності збору зарядів η, для детекторів на основі GaAs, CdTe і Cd_xZn_1-xTe в широких діапазонах концентрацій дефектів. Знайдено пояснення залежностей µn, р, τ і η від складу матриці. Визначено концентрації домішок і дефектів, необхідні для одержання високоомних CdTe і CdZnT з високою µn і максимальною η у детекторах ядерних випромінювань з різною формою електродів. Встановлено кореляцію між радіаційними дефектами, що виникають в CdTe:C1 і CdZnTe після жорсткого рентгенівського опромінення p, η детекторів на їх основі. Визначено роль радіаційних дефектів у процесах деградації детекторних характеристик CdTe:C1. Знайдено пояснення більш високої радіаційної стійкості CdZnTe у порівнянні з CdTe:C1. Визначено умови деградації властивостей детектора на початковому етапі експлуатації під дією у-опромінення.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Кондрик Олександр Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"