РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000813051<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Чугай О. М. 
Вплив механічної обробки поверхні на діелектричні та фотодіелектричні властивості кристалів AII>BVI / О. М. Чугай, С. Л. Абашин, С. В. Олійник, І. В. Луньов // Авіац.-косм. техніка і технологія. - 2021. - № 3. - С. 73-78. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.

Предметом вивчення є діелектричні та фотодіелектричні властивості кристалів A<^>IIB<^>VI складу ZnSe та Cd1-xZnxTe, які вирощені з розплаву, та пов'язані з цими властивостями структурні дефекти та внутрішні пружні поля. Мета роботи - дослідження закономірностей впливу механічної обробки поверхні шляхом шліфування, полірування та локального навантаження на дефектну структуру в області деформування, а відтак на діелектричні та фотодіелектричні властивості кристалів A<^>IIB<^>VI зазначеного складу, що є важливим з огляду застосування даних кристалів в аерокосмічній техніці. Завдання: дослідити закономірності впливу шліфування, полірування та локального деформування отриманої сколюванням поверхні зразків ZnSe і Cd1-xZnxTe на їхню дефектну структуру, діелектричні та фотодіелектричні властивості, включаючи необоротні зміни властивостей. Завдання вирішувались наступними методами: ємнісним методом досліджували діелектричні та фотодіелектричні властивості кристалів; методом скануючої фотодіелектричної спектроскопії вимірювали енергії фотоіонізації локалізованих станів носіїв зарядів у кристалах; поляризаційно-оптичним методом вивчався розподіл залишкових пружних напружень у зразках. Установлено, що шліфування та полірування спричиняє трансформацію власного та домішкового максимумів спектральних залежностей діелектричних параметрів кристалів A<^>IIB<^>VI, чинить характерний вплив на координатні залежності діелектричних параметрів кристалів Cd1-xZnxTe. Це зумовлено трансформацією локалізованих станів носіїв, що підтверджено дослідженням кристалів ZnSe. Локальне деформування кристалів Cd1-xZnxTe істотно впливає на їх діелектричні властивості, зокрема, зумовлює релаксацію діелектричних параметрів. Зроблено висновки, що механічна обробка поверхні кристалів A<^>IIB<^>VI шліфуванням і поліруванням, а також локальне механічне навантаження зразків Cd1-xZnxTe істотно впливає на їх діелектричні та фотодіелектричні властивості, що пов'язано з утворенням системи дефектів і внутрішніх пружних полів в областях деформування.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.5

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж24839 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського