Досліджено електропровідність чистих та активованих іонами Cr<^>3+ тонких плівок <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 }>. Встановлено, що відпалені у кисневій атмосфері тонкі плівки <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 }> та <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 : Cr sup 3+ }> мають низьку питому електропровідність порядку 10<^>-10 Ом<^>-1-см<^>-1. Провідність таких плівок пов'язується зі звільненням електронів із глибоких донерних рівнів, зумовлених оксигеновими вакансіями. За відпалу у відновній атмосфері питома провідність тонких плівок <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 }> зростає до 10<^>-3 Ом<^>-1-см<^>-1 та пов'язується з мілкими донорними рівнями, зумовленими міжвузловими атомами галію. За відпалу у відновній атмосфері питома провідність тонких плівок <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 : Cr sup 3+ }> зростає до 10<^>-8 Ом<^>-1-см<^>-1 і пов'язується з глибокими донорними рівнями, зумовленими домішковими іонами хрому у стані Cr<^>2+. Проведено аналіз взаємозв'язку між люмінесценцією та провідністю в тонких плівках <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 : Cr sup 3+ }>. Показано, що, змінюючи умови термооброблення тонких плівок <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 : Cr}>, можна змінювати концентрацію домішкових іонів хрому у станах Cr<^>2+ й Cr<^>3+ і тим самим контролювати електропровідність і люмінесценцію.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"