РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000813780<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Литвиненко Д. М. 
Статистична теорія систем заряджених частинок над поверхнею діелектриків : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.02 / Д. М. Литвиненко; Національна академія наук України, Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут". - Харків, 2019. - 23 c. - укp.

Уперше побудовано мікроскопічну теорію на основі перших принципів статистичної механіки для опису системи заряджених фермі-частинок над поверхнею рідкого діелектрика в зовнішньому електричному полі без використання модельних уявлень про потенціали сил, діючих на окремий заряд над поверхнею зазначеного діелектрика. Сформульовано варіаційний принцип, що дозволяє побудувати систему рівнянь самоузгодження, які описують дану систему та пов'язують основні параметри її опису - функцію розподілу заряджених частинок, потенціал електричного поля, профіль поверхні рідкого діелектрика. Здобуто вирази для розподілу концентрації зарядів, потенціалу та напруженості електричного поля системи у випадку плоскої поверхні рідкого діелектрика як для невиродженого газу частинок, так і з урахуванням виходу за межі статистики Больцмана. Уперше одержано у межах запропонованого підходу рівняння для критичної поверхні фазового переходу до просторово-періодичного стану у системі, яке визначає зв'язок між критичними параметрами фазового перетворення - зовнішнім електричним полем, температурою та кількістю частинок над одиницею площі поверхні діелектрика. Одержано вираз для параметра порядку фазового перетворення - профілю поверхні - поблизу критичної поверхні та показано, що його величина змінюється пропорційно квадратному кореню із напруженості зовнішнього електричного поля. Проаналізовано залежність характеристик системи в околі фазового перетворення від товщини плівки рідкого діелектрика, величини притискуючого поля та концентрацій зарядів над поверхнею, допустимих із точки зору стійкості системи. Показано зокрема, що для відносно тонких плівок діелектрика їх ефективна товщина слабко залежить від величини притискуючого поля, а діапазон допустимих концентрацій зарядів над поверхнею значно розширюється у порівнянні з випадком масивного діелектрика.


Індекс рубрикатора НБУВ: В311,022 + В317.2,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА439978 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського