Lyaschuk Yu. M. Peculiarities of amplitude and phase spectra of semiconductor structures in THz frequency range = Особливості амплітудних та фазових спектрів напівпровідникових структур у ТГц діапазоні частот / Yu. M. Lyaschuk, V. V. Korotyeyev, V. A. Kochelap // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2022. - 25, № 2. - С. 121-136. - Бібліогр.: 49 назв. - англ.Розглянуто головні особливості амплітудних і фазових спектрів пропускання/відбивання декількох модельних напівпровідникових структур, у тому числі діелектричну підкладку, тонкий провідний шар, розміщений між двома діелектричними середовищами, тонкий провідний шар, розміщений на діелектричній підкладці, і гібридну плазмонну структуру з тонким провідним каналом під металевою граткою. Аналіз було здійснено з використанням аналітичних виразів, одержаних у результаті розв'язків рівнянь Максвелла при нормальному падінні плоскої електромагнітної хвилі. Показано, що специфічна поведінка амплітудних та фазових спектрів у ТГц діапазоні може бути використана для визначення базових параметрів 2D-електронного газу, включаючи концентрацію вільних електронів та їх рухливість, у межах експериментальних методик ТГц спектроскопії з розділенням у часі. Авторами запропоновано ефективний фазовий модулятор ТГц випромінювання з електричним контролем робочих параметрів, що грунтується на ефекті 2D-плазмонного резонансу в гібридних плазмонних структурах зі просторово-модульованим профілем концентрації у тонкому провідному шарі. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|