Досліджено параметри стійкості кристалічної структури в рамках моделі зв’язкової валентності (МЗВ), а також модельні розрахунки дисперсії фононів: суперіоніка Сu₆РS₅Вr, сапфіру (корунду) а-Аl₂О₃, квазіфулеритів С₃₀ і С₄₂, пірохлорів з стехіометрією А₂В₂Х₆Υ та борних ангідридів В₂O₃. Вперше розроблено дві розрахункові схеми на базі МЗВ для прогнозування ідеальних оксидних пірохлорних структур типу А₂В₂Х₆Υ. Проаналізовано кристалічну стійкість структури і покладено її в основу побудови моделей для розрахунку їх одночастинкових спектрів. Розрахунок дисперсійних залежностей фононів цих структур проводився в концепції надпросторової симетрії, яка використовувалась для побудови їх (3+d)-мірних моделей, базуючись на метриці протокристалу, яка ускладнювалася збудженнями різного типу. На першому етапі визначалося масове збурення, яке забезпечує адекватний розподіл масових характеристик; при цьому утворене силове поле міжатомної взаємодії задавалося залежним тільки від віддалі - r А_0·. Розроблено програмне забезпечення, що дозволило розрахувати фононні спектри для розглядуваних кристалів. Достовірність результатів розрахунку забезпечувалася використанням підгонки експериментальних значень фононних частот в точці Г зони Бріллюена, шляхом підбору відповідних величин силових постійних. Динамічні матриці протокристалу D_aβ(k+q_i) розраховувались з врахуванням певної кількості силових постійних впливових координаційних груп. Порівняння розрахованих дисперсних кривих із теоретичними розрахунками та експериментальними даними інших авторів вказує на їх добре узгодження між собою, а саме, для Сu₆РS5Вr. Для всіх досліджуваних структур одержано розклад коливного зображення на незвідні зображення в точці Г зони Бріллюена. Для кристалів суперіоніка Сu₆РS5Вr було проведено ab initio розрахунки електронних спектрів різних модельних структур. Розрахунки показують, що зміна положень іонів Сu з позиції (0.865, 0.378, 0.378) до (0.976, 0.523, 0.523) приводить до зміни ширини забороненої зони від 0.39 eV до 1.31 eV. Ширина забороненої зони, що розраховано для реальної структури, становить 0.19-0.59 eV, а експериментальне значення 0.3-0.4 eV.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Штейфан Алексина Ярославівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"