РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000814800<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Pokytnyi S. I. 
Exciton quasimolecules in nanosystems with semiconductor and dielectric colloidal quantum dots: a review = Екситонні квазімолекули в наносистемах з напівпровідниковими та діелектричними колоїдними квантовими точками: огляд / S. I. Pokytnyi, A. D. Terets // Поверхня : зб. наук. пр.. - 2022. - Вип. 14. - С. 49-62. - Бібліогр.: 36 назв. - англ.

Розглянуто теорію екситонних квазімолекул (утворених із просторово розділених електронів і дірок) у наносистемі, що складається з напівпровідникових та діелектричних колоїдних квантових точок (КТ), синтезованих у діелектричній і напівпровідниковій матрицях. Показано, що утворення екситонної квазімолекули має пороговий характер і можливе в наносистемі, в якої відстані D між поверхнями КТ визначаються умовою <$E D sub c sup (1)~symbol Г~D~ symbol Г~ D sub c sup (2)> (де <$E D sub c sup (1)> і <$E D sub c sup (2)> - деякі критичні відстані). Показано, що в такій наногетероструктурі "екситонні квазімолекули" є дві КТ, на поверхні яких локалізуються екситони. Положення смуги енергії такого стану екситонної квазімолекули залежить як від середнього радіуса КТ, так і від відстані між їх поверхнями. Така залежність надає можливість цілеспрямовано керувати величиною енергії екситонної квазімолекули, змінюючи ці параметри наноструктури. Встановлено, що енергії зв'язку основного синглетного стана екситонних квазімолекул приймають суттєві значення, значно більші (майже на 2 порядки) за енергію зв'язку біекситону в напівпровідникових і діелектричних монокристалах. Показано, що основний внесок в енергію зв'язку основного синглетного стана екситонної квазімолекули вносить енергія обмінної взаємодії електронів із дірками, і цей внесок є значно більшим, ніж внесок енергії кулоновської взаємодії між електронами та дірками. Встановлено, що з підвищенням температури вище порога (T >>= Tc), може відбуватися перехід зі стана екситонної квазімолекули в екситонний стан. Показано, що за постійної концентрації екситонів (тобто постійної концентрації КТ) і температур T нижче Tc можна очікувати нову смугу люмінесценції, зміщену від екситонної смуги на величину енергії зв'язку екситонної квазімолекули. Ця нова смуга зникає за більш високих температур (T >>= Tc). За постійніої температури нижче Tc збільшення концентрації екситонів призводить до ослаблення смуги екситонної люмінесценції та посилення смуги екситонної квазімолекули. Такі екситонні квазімолекули становлять фундаментальний інтерес як нові квазіатомні наноструктури; вони також можуть мати практичну цінність як нові наноматеріали для нанооптоелектроніки. Оскільки енергія основного синглетного стана квазімолекули знаходиться в інфрачервоному діапазоні спектра, то це надає можливість використовувати такі квазімолекули для створення нових інфрачервоних датчиків у біомедичних дослідженнях.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж68643 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського