Досліджено багатошарові омічні контаки до n-ІnN, напівпровідникового матеріалу перспективного для високочастотних транзисторних структур. Проаналізовано використання швидких термічних обробок з метою оптимізації властивостей отриманих омічних контактів. Встановлено, що омічні контакти Рd/Ті/Аu до n-ІnN можуть формуватися в об'єднаному технологічному процесі, який полягає в одночасному використанні методів магнетронного напилення металізації та термічної обробки при 350^°С. Визначено статистичними методами оптимальні параметри технологічних обробок та показано, що додаткові швидкі термічні обробки призводять не лише до зниження середнього значення питомого контактного опору, а й до зниження значення дисперсії його розподілу. Виявлено, що в діапазоні температур 4,2 - 380 К для досліджених омічних контактів до n-ІnN з рівнями легування 2•10¹⁸см^-3, 8•10¹⁸см^-3 та 4•10¹⁹см^-3 характерний металічний механізм струмопереносу по шунтах, що спряжені з дислокаціями в плівках нітриду індію. Показано, що дані шунти можуть формуватися як в процесі дифузії атомів паладію в процесі магнетронного напилення металізації, так і дифузії атомів індію по дислокаціях у випадку збагачення поверхні епітаксійних плівок індієм, що може відбуватися завдяки специфіці епітаксійного росту плівок ІnN. Досягнуто для всіх цих випадків узгодження густини металевих шунтів, розрахованої аналітично з теоретичної моделі, та густини дислокацій, визначеної експериментально за допомогою високороздільної Х-променевої дифрактометрії.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сай Павло Олегович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"