Bordun O. M. The local trap centres in thin beta-Ga2O3:Cr3+ films / O. M. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, D. M. Maksymchuk, I. M. Bordun, P. Chabetsky, D. S. Leonov // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології : зб. наук. пр.. - 2022. - 20, вип. 3. - С. 631-638. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.Наведено результати дослідження термостимульованої люмінесценції (ТСЛ) у тонких плівках <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 :Cr} sup 3+>. Визначено глибини центру захоплення (ЦЗ), відповідального за смугу ТСЛ з максимумом в області 290 К. Встановлено неелементарність даного ЦЗ та вказано на можливість наявності у тонких плівках <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 :Cr} sup 3+> дифузно-контрольованої тунельної рекомбінації під час звільнення ЦЗ. Виміряні спектри ТСЛ показують наявність широкої смуги свічення, зумовленої <$Enothing sup 4 Т sub 2 ~symbol О~nothing sup 4 A sub 2>-переходами у іонах Cr<^>3+. Інтерпретовано R-лінії (переходи <$E2Е~symbol О~nothing sup 4 A sub 2>) та їх фононні повторення у довгохвильовій області. Індекс рубрикатора НБУВ: К230.26
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|