Викладено результати дослідження впливу іонної імплантації на структурно-деформаційний стан надграток AlN/GaN, приповерхневих шарів монокристалів InSb і GaN та розробки методик рентгенодифракційного аналізу цих ефектів. Розглянуто підхід до моделювання рентгенодифракційних спектрів в іонно-імплантованих кристалах InSb і GaN та методику відтворення профілів деформації в них. Проведено детальний аналіз неідеальних надграткових структур AlN/GaN з неоднорідностями товщини шарів НГ та з врахуванням впливу дислокацій. Показано, що розраховані з одночасним врахуванням цих порушень структури спектри для AlN/GaN НГ добре пояснюють спостережуване на експериментальних спектрах розширення і асиметрію піків сателітів, особливо для рефлексів вищих порядків. Встановлено, що іонна імплантація – потужний метод для трансформації структурного і деформаційного стану градієнтних шарів і НГ.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Любченко Олексій Ігорович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"