Досліджено процеси радіаційного пошкодження кристалів CsI:Tl і роль наведених опроміненням центрів забарвлення в процесі переносу енергії до Тl⁺-центрів світіння. Встановлено, що на утворення і релаксацію активаторних центрів забарвлення впливає пластична деформація, термічна та оптична обробка кристала, а також наявність СО₃^2- іонів. Абсорбційні властивості активаторних центрів забарвлення двох типів інтерпретуються в рамках моделі, відповідно до якої вони є домішково-вакансійними диполі Tl⁰v^a+ і Tl²⁺v_c^-, в яких електронний Tl⁰ і дірковий Tl²⁺ центри збурені сусідньою аніонною і катіонною вакансією, відповідно. При збудженні кристала CsI:Tl світлом з області ближнього ультрафіолету виникає струм об'ємної провідності, що обумовлений переносом електрона з I^- на Тl⁺ іон. Перенос заряду ініціює утворення Tl⁰ центра і захват зонної дірки домішково-вакансійним диполем СО₃^2-v^a+ з утворенням однозарядного СО₃^--іона і вивільненням аніонної вакансії, що в процесі дифузії захоплюється Tl⁰-центром. Tl⁰v^a+ і Tl²⁺v_c^- центри приймають участь у сцинтиляційному процесі, отримуючи резонансним шляхом енергію від Tl⁺ центрів. Деградація світлового виходу опромінених кристалів Csl:Tl обумовлена випромінювальним переносом енергії від Tl⁺ до Tl⁰v^a+ центрів, світіння яких погашено при температурах, що перевершують 200К. Безвипромінювальний перенос енергії від Tl⁺ до Tl²⁺v_c^- центрів призводить до довгохвильового спектрального зсуву і зміни форми сцинтиляційного імпульсу.

• Алексєєв Вадим Дмитрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"