Створено унікальні автоматизовані вимірні системи для дослідження діелектричних і інших електрофізичних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників в широкому інтервалі частот і температур та для вивчення процесів переключення в даних матеріалах. Побудовано систему прецизійної зміни та регулювання температури для дослідження фізичних явищ у досліджуваних об'єктах в околі фазових переходів. Простежено зв'язок між технологією одержання досліджуваних сполук та їхніми фізичними властивостями. Досліджено вплив нерівноважності електронної системи на доменну структуру сегнетоелектриків-напівпровідників. Вивчено релаксаційні процеси в сегнетоелектриках-напівпровідниках Sn₂P₂S₆ та Sn₂P₂Se₆ в низькотемпературній ділянці сегнетоелектричної фази. Досліджено поведінку фізичних властивостей в околі фазових переходів кристалів Sn₂P₂Se₆ та Sn₂P₂S₆. Проаналізовано температурні залежності діелектричної проникності власних одновісних сегнетоелектриків Sn₂P₂Se₆ з контрольованим вмістом домішок різного типу з метою визначення дефектів кристалічної структури, які впливають на ефективність запису теплової пам'яті в неспівмірній (НС) фазі; фазовий перехід другого роду з параелектричної фази в НС-фазу при температурі Т_i і на ФП першого роду із НС-фази в сегнетоелектричну фазу при температурі Т_c тощо.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Молнар Олександр Олександрович (фізико-математичні науки)
• Молнар Олександр Олесандрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"