Запропоновано принципи побудови моделей кластерів напівпровідникових сполук типу IV -VI, II - VI та твердих розчинів на основі системи Pb-Cd-Te з метою аналізу наступного впливу поверхні на структурні та термодинамічні характеристики матеріалу. Для широкого температурного інтервалу (20 - 1000) К на основі методу функціоналу густини розраховано енергію ΔE, ентальпію ΔН, вільну енергію Гіббса ΔG, ентропію ΔS кубічних фаз сполук IV - VI (PbS, PbSe, РbТе і Pb_0,9Cd_0,1Te) та сфалеритних фаз сполук II - VI (CdS, CdSe, CdTe). Із врахуванням переважаючих напрямків росту тонких плівок Pb_0,9Cd_0,1Te і, базуючись на даних Х-променевого структурного аналізу, запропоновано моделі кластерів та виконану відповідну реконструкцію поверхні. Показано, що навколо атому кадмію виникає область підвищеного градієнта електронної густини. Визначено відношення внеску внутрішніх атомів до сумарної кількості атомів побудованих кластерів при аналізі густини електронних станів. Аргументовано величини мінімальних граничних розмірів кластерів для виконання розрахунків з перших принципів і правильного опису характеристик матеріалу, що сприяє скороченню часу виконуваних розрахунків.

• Найдич Богданна Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"