Наведено результати досліджень особливостей дифракції X-променів для інтервалу довжин хвиль в області К-країв поглинання компонент бінарних сполук, що містять дефекти та порушення стехіометрії при використанні квазізаборонених рефлексів (КЗР). Встановлено, що в бінарних кристалах з близькими номерами атомів підграток для довжин хвиль поблизу К-країв поглинання компонент для КЗР мають місце динамічні ефекти розсіяння Х-променів. Зазначено, що одночасне використання структурних і квазізаборонених рефлексів надає змогу коректно визначити як характеристики дефектів, так і параметр нестехіометрії. Встановлено, що в геометрії Брегг-дифракції існує мінімум в енергетичній залежності ІВЗ (інтегральна відбивна здатність), котрий викликаний наближенням до нуля дійсної частини коефіцієнта розкладу Фур'є поляризованості кристалу. Характер зміни положення мінімумів інтенсивності в області довжин хвиль поблизу К-країв поглинання компонент визначається відхиленням від стехіометрії, яке впливає на величину структурного фактора. На основі співставлення експериментальних і теоретичних залежностей ІВЗ для КЗР та їх мінімумів може бути визначена степінь нестехіометричності, а також характеристики мікродефектів в бінарних кристалах. Встановлено, що параметр нестехіометрії епітаксійних структур в значній мірі залежить від їх структурної досконалості (наявності кулонівських центрів, збагачених кремнієм). Тому рівень легування шарів атомами кремнію не завжди може корелювати з концентрацією носіїв струму, яка залежить від числа атомів кремнію, що заміщують атоми власних компонент кристала. Розвинуто основи неруйнуючого Х-променевого дифракційного методу контролю нестехіометрії бінарних кристалів на рівні ∼10^-5, а також характеристик мікродефектів (розмір, концентрація), який базується на вимірюваннях енергетичних залежностей ІВЗ для КЗР і структурних рефлексів в області К-країв поглинання. Методами рентгенівської дифракції визначено деформаційний стан короткоперіодних надграток Al_xGa_1-xN/GaN, а також період і товщини його шарів, склад твердого розчину. Виявлено, що структури, вирощені з низьким співвідношенням потоків компонент III/V, мають більшу ступінь атомного дальнього упорядкування. Встановлено, що рівень деформацій в періоді НГ залежить від співвідношення товщин яма-бар'єр.Показано, що швидкості росту окремих шарів в значній мірі залежать від деформаційного стану системи - при збільшенні напружень збільшується швидкість росту бар'єрного шару.

• Максименко Зоя Василівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"