Окреслено завдання вивчення кінетичних особливостей поведінки сегнетоелектриків в сильнонерівноважних умовах, запропоновано нові альтернативні існуючим методи формування стійких доменних структур різних типів, в тому числі регулярних доменних структур у мікронному, субмікронному та нанометровому діапазонах. Охарактеризовано фізичні властивості сегнетоелектриків, що піддаються тим чи іншим зовнішнім впливам, а також створення нових сегнетоелектричних матеріалів. Описано кінетичні особливості поведінки сегнетоелектриків поблизу температури упорядкування, що дозволяє відповісти на численні питання, які стосуються фізики конденсованого стану в сильно нерівноважних умовах, а також запропоновано нові альтернативні методи отримання стабільних доменних структур різного типу, у тому числі регулярних доменних структур (РДС) у субмікронному та нанометровому діапазонах. Визнано перспективним напрямом досліджень у цій галузі пошук умов, зокрема, зовнішніх термічних, механічних та польових впливів, за яких відбуватиметься формування РДС. Експериментально показано, що такі структури періодичного виду формуються при швидкому охолодженні зразка з параелектричної фази в сегнетоелектричну.

• Мазур Ольга Юріївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"