Розв'язано задачу про квантову частинку в нескінченно глибокій потенціальній ямі з внутрішнім потенціальним бар'єром скінченої висоти. Розв'язок виконано в простому алгоритмічному підході, що надає змогу використовувати одержаний результат в дослідженнях напівпровідникових наноструктур. Реальна гетероструктура, яка відповідає цьому моделю, повинна виглядати як тонкий шар широкозонного напівпровідника, вміщений між двома дещо товщими шарами вузькозонного напівпровідника. Для забезпечення "нескінченної глибини" потенціальної ями на зовнішні бокові поверхні потрійної напівпровідникової гетероструктури необхідно нанести шари провідника і подати від'ємний електричний потенціал. Інший варант практичної реалізації моделі можна здійснити розмістивши два електрони в одній потенціальній ямі. В цьому випадку яма являє собою локальний простір, на межі якого подається від'ємний електричний потенціал. Внутрішній потенціальний бар'єр виникає через Кулонову взаємодію електронів. Прикладом такої структури є нанопора на поверхні або в об'ємі металевого зразка.

• Лазаренко Андрій Степанович (1965–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"