За допомогою методу 3<$E omega> досліджено ефективну поперечну теплопровідність <$E lambda sub symbol <94>> тонких плівок AlN. Плівки AlN товщиною 1 - 3 мкм синтезовано на підкладинках з монокристалічного Si або Аl в гібридному геліконно-дуговому йонно-плазмовому реакторі. Одержані плівки на межі з підкладинкою мали тонкий шар невпорядкованого AlN товщиною близько 200 нм. Для плівок AlN на підкладинках з монокристалічного Si одержано високе значення коефіцієнта теплопровідності <$E lambda sub {symbol <94> Si}> = 82,9 Вт/(м-К). Для плівок AlN на підкладинках з Аl одержано значення <$E lambda sub {symbol <94> Al}> = 45,8 Вт/(м-К), що є найвищим серед відомих для металічних підкладинок з Аl. Проведена оцінка теплового опору Rq межі між плівками AlN і підкладинками Si або Аl. Для інтерфейсу AlN/Si одержано значення <$E R sub {q~intSi}~=~2,3~cdot~10 sup -8> (м<^>2-К)/Вт, а для інтерфейсу AlN/Al - <$E R sub {q~intAl} ~=~ 4,3~ cdot ~10 sup -8> (м<^>2-К)/Вт.

• Руденко Едуард Михайлович (технічні науки)
• Краковний Анатолій Олександрович (технічні науки)
• Дякін Максим Володимирович (фізико-математичні науки)
• Короташ Ігор Васильович (фізико-математичні науки)
• Полоцький Денис Юрійович (фізико-математичні науки)
• Скорик Микола Анатолійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"