Діоди Шотткі графен/p-CdTe було одержано на підкладках p-CdTe розпиленням водних розчинів полівінілпіролідону (PVP, (C6H9NO)n), які містять частинки багатошарового графену, механічно відлущені з графіту. Діодні властивості одержаних поверхневих бар'єрних структур графен/p-CdTe визначалися енергетичним бар'єром <$Eq phi sub k ~=~0,8> еВ, який формується у приконтактній області p-CdTe. Проаналізовано температурну залежність ВАХ та встановлено динаміку зміни висоти бар'єру з температурою та основні механізми генерації струму в досліджуваних діодах під дією прямої та зворотної напруг. В області прямого зміщення при V << 0,2 В і зворотного зміщення при - (минус) 0,5 В << V через діод перебігають рекомбінаційно-генераційні струми. Зворотний струм зумовлений процесами генерації, а прямий - рекомбінації у збідненій на основні носії заряду області p-CdTe. За вищих, як прямих, так і зворотних напруг, формування струму відбувається за рахунок тунелювання носіїв заряду через потенціальний бар'єр електричного переходу.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Миронюк Лілія Анатоліївна (хімічні науки)
• Миронюк Денис Валерійович (фізико-математичні науки)
• Стрельчук Віктор Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"