Проведено електричне дослідження Ni i Ti металевих контактів Шотткі на епітаксійних шарах n-6H-SiC за методом вольтамперної характеристики. Ni/6H-SiC демонструє неоднорідну поведінку висоти бар'єру. Модель термоелектронної емісії поєднується з функцією Ламберта, щоб одержати явну форму рівняння Шотткі, а також визначити кількість гілок, необхідних для моделювання аномальної поведінки. Неоднорідну висоту бар'єру для досліджуваного переходу Ni/H-SiC можна відтворити за допомогою моделі, що включає дві гілки Шотткі, які надають низький (L) і високий (H) бар'єри Шотткі (<$Ephi sub bn sup L ~=~092> еВ; <$Ephi sub bn sup H ~=~1,56> еВ), а також низький і високий коефіцієнти ідеальності (n<^>L = 1,93; n<^>H = 1,23).

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"