У даній роботі виконано порівняльний аналіз з точки зору падіння напруги джерела живлення (IR-Drop) і затримки поширення (PD) трьох різних моделей з'єднання на основі графенових нанострічок (GNR), тобто вертикального GNR (V-GNR), горизонтального GNR (H-GNR) і складеного GNR (F-GNR) для високошвидкісної та малопотужної конструкції IC нового покоління. Для виконання ІЧ-відпалу та аналізу затримки для трьох різних моделей з'єднань використовується 10-ступінчастий каскадний КМОП-інвертор (тобто 16-нм модель PTM-HP CMOS), де кожен інвертор з'єднаний із трьома різними моделями (тобто V-GNR, H-GNR і F-GNR). Кожна модель з'єднання складається з різних значень RLC, які обчислюються за допомогою стандартної математичної моделі. З наведеного аналізу показано, що F-GNR демонструє менше пікового ІЧ-спаду (~200 мВ на 1-му етапі, ~215 на 5-му етапі, ~232 на 10-му етапі) у порівнянні з V-GNR (~210 мВ на 1-му етапі), ~224,4 на 5-й стадії, ~256,67 на 10-й стадії) і H-GNR (~272,33 мВ на 1-й стадії, ~277,88 на 5-й стадії, ~282,45 на 10-й стадії) за 0,4 еВ енергії Фермі. Стосовно енергоспоживання, F-GNR демонструє менше споживання енергії (тобто <$E2,06~cdot~10 sup -5> Вт) у порівнянні з V-GNR (тобто <$E3,80~cdot~10 sup -5> Вт) і H-GNR (тобто <$E4,08~cdot~10 sup -5> Вт). З точки зору затримки розповсюдження, F-GNR демонструє приблизно у 2 - 5 разів меншу затримку на кількох каскадних етапах (тобто, починаючи з 1-го етапу до 10-го етапу) у порівнянні з V-GNR і H-GNR з'єднанням. Наведений аналіз корисний для проектування високошвидкісних ІС наступного покоління з використанням матеріалів нанозв'язку.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"