Проаналізовано результати досліджень рекомбінації нерівноважних носіїв заряду (ННЗ) в монокристалах n-InSb. Показано, що описані в літературі моделі рекомбінації Шоклі - Ріда - Холла неспроможні пояснити експериментальні результати, одержані в монокристалах прикладної якості, які використовуються для створення інфрачервоних фотодіодів. Запропоновано модель рекомбінації за участю двох незалежних рівнів, один з яких є акцептором. Модель базується на результатах експериментальних досліджень часу життя в InSb n-типу, одержаних із вимірювань релаксації фотопровідності (ФП) при імпульсному лазерному збудженні в діапазоні температур 77 - 250 К. Тривалість імпульсів становила ~20 нс, а час спаду імпульсу не перевищував 5 нс. Для вимірювань переважно використовувались монокристали, вирощені за методом Чохральського та одержані з декількох джерел. Концентрація носіїв заряду у зразках за температури 77 К змінювалась у межах 10<^>14 - 10<^>16 см<^>-3. Кінетика фотопровідності досліджувалась у зразках n-InSb до та після формування дифузійних p<^>+-n переходів. Температура дифузії акцепторної домішки кадмію змінювалась у межах <$E380~-~420~symbol Р roman C>. Показано, що у зразках після формування p<^>+-n переходу час життя може бути обмежений ефектом прилипання неосновних носіїв на акцепторний рівень, який знаходиться на відстані 60 меВ від дна зони провідності. Модель надає змогу описати залежність часу життя від температури і концентрації носіїв в діапазоні легування 10<^>14 - 10<^>16 см<^>-3. Із співставлених стаціонарного та нестаціонарного часу життя зроблено висновки щодо існування ефекту прилипання неосновних носіїв заряду в матеріалі n-типу провідності, який відповідає за надлишковий тунельний струм у фотодіодах, генераційно-рекомбінаційний та низькочастотний <$E1 "/" symbol Ж> шум. Передбачається, що зкцепторні пастки можуть бути зумовлені генерацією дислокацій під час виготовлення дифузійного переходу.

• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)
• Ткачук Андрій Іванович (технічні науки)
• Ткачук Анна Іллівна (історичні науки)
• Ворощенко Андрій Тарасович (фізико-математичні науки)
• Луцишин Ірина Григорівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"