В зразках контакту Шотткі NbN - GaAs досліджено фотоерс, що генерується вздовж межі поділу метал-напівпровідник. Показано, що суттєвий вплив на вигляд спектральних залежностей створює перехідний напівпровідниковий шар, який формується біля межі поділу контакту Шотткі. Особливістю спектральної характеристики фотоерс є зміна її вигляду за зміни температури термічного відпалу досліджуваної гетеросистеми. Якщо спектральна характеристика має один максимум і амплітуду, яка в декілька разів перевищує амплітуду знакозмінної характеристики, це означає сформування перехідного шару в області виснаження контакту Шотткі з високою, у порівнянні з квазінейтральною областю напівпровідника, провідністю. Складна знакозмінна форма спектральних характеристик пов'язана з внеском у вимірюваний сигнал декількох складових ерс, які генеруються на потенційних бар'єрах гетеросистеми метал-напівпровідник. Спостерігається зміна форми спектральних характеристик і знака фотоерс при освітленні зразка зі сторони металу. Це зумовлено зміною співвідношення між складовими ерс, які формуються в шарах гетеросистеми з різним рівнем провідності. Для зразків, що відпалені за <$ET~=~900~symbol Р roman C>, характерна зміна знака фотоерс в області краю поглинання GaAs. Визначено, що відпалення за <$ET~=~950~symbol Р roman C> призводить до збільшення відносної неоднорідності товщини області виснаження і відсутності зміни знака спектральної характеристики фотоерс. При цьому зберігається значний вплив неоднорідності згину зон в області виснаження гетеросистеми на характер розподілу латеральної ерс.

• Шеховцов Леонід Валентинович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"