Розглянуто основні закономірності процесів впливу потужного імпульсного електромагнітного випромінювання на електронні компоненти. Установлено основні механізми ураження радіоелектронних компонентів потужним електромагнітним імпульсом. Основну увагу зосереджено на дослідженні процесів впливу потужного імпульсного електромагнітного випромінювання на найбільш уразливі до такого впливу напівпровідникові прилади - на інтегральні мікросхеми. Установлено орієнтовні межі інтервалу значень поглинутої енергії та потужності, в якому відбувається функціональне ураження більшості сучасних напівпровідникових приладів.

• Федоров Петро Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"