Michailovska K. V. Luminescent and Raman study of nanostructures formed upon annealing of SiOx:Sm films = Люмінесцентні та Раманівські дослідження структур, сформованих при відпалі плівок SiOx:Sm / K. V. Michailovska, I. Z. Indutnyi, P. E. Shepeliavyi, M. V. Sopinskyy, V. A. Dan'ko, V. O. Yukhymchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2023. - 26, № 1. - С. 68-75. - Бібліогр.: 51 назв. - англ.Досліджено вплив домішок самарію на процеси високотемпературного розкладу в плівках SiOx, легованих самарієм під час термічного співвипаровування у вакуумі монооксиду кремнію та металевого Sm. Високотемпературний відпал плівок SiOx:Sm в атмосфері повітря призводить до формування структур ncs-Si-SiOx:Sm. Шляхом вивчення спектрів фотолюмінесценції (ФЛ) нанокомпозитів ncs-Si-SiOx:Sm було показано, що легування плівок SiOx самарієм прискорює їх розпад на Si і SiO2 при термічному відпалі, а також знижує температуру переходу наночастинок кремнію з аморфного стану у кристалічний. Зі збільшенням вмісту домішок Sm у ncs-Si-SiOx:Sm до 2 мас. %, поряд зі ФЛ, пов'язаною з наночастинками кремнію, у спектрі ФЛ цих структур з'являються смуги випромінювання іонів Sm<^>3+ та Sm<^>2+, які не спостерігаються при менших концентраціях Sm. Наявність нанокристалів кремнію у плівках SiOx, легованих Sm і відпалених за <$E970~symbol Р roman C> у повітрі, підтверджено спектрами комбінаційного розсіювання. Обговорено можливий механізм взаємодії іонів самарію з матрицею SiOx і ncs-Si. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|