Досліджено вплив домішок самарію на процеси високотемпературного розкладу в плівках SiOx, легованих самарієм під час термічного співвипаровування у вакуумі монооксиду кремнію та металевого Sm. Високотемпературний відпал плівок SiOx:Sm в атмосфері повітря призводить до формування структур ncs-Si-SiOx:Sm. Шляхом вивчення спектрів фотолюмінесценції (ФЛ) нанокомпозитів ncs-Si-SiOx:Sm було показано, що легування плівок SiOx самарієм прискорює їх розпад на Si і SiO2 при термічному відпалі, а також знижує температуру переходу наночастинок кремнію з аморфного стану у кристалічний. Зі збільшенням вмісту домішок Sm у ncs-Si-SiOx:Sm до 2 мас. %, поряд зі ФЛ, пов'язаною з наночастинками кремнію, у спектрі ФЛ цих структур з'являються смуги випромінювання іонів Sm<^>3+ та Sm<^>2+, які не спостерігаються при менших концентраціях Sm. Наявність нанокристалів кремнію у плівках SiOx, легованих Sm і відпалених за <$E970~symbol Р roman C> у повітрі, підтверджено спектрами комбінаційного розсіювання. Обговорено можливий механізм взаємодії іонів самарію з матрицею SiOx і ncs-Si.

• Індутний Іван Захарович (1949–) (фізико-математичні науки)
• Юхимчук Володимир Олександрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"