Данильчук С. П. Фотонні властивості пристроїв на основі багатокомпонентних кристалічних сполук із вмістом (Si, Ge, Sn) / С. П. Данильчук, О. В. Замуруєва, В. Є. Сахнюк, С. А. Федосов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2021. - 22, № 3. - С. 470-476. - Бібліогр.: 18 назв. - укp.Наведено результати оптичних та фотоелектричних вимірювань та їх аналіз для кристалічних сполук Tl1-xIn1-xDx<^>IVSe2 (D<^>IV - Si, Ge, Sn) у діапазоні довжин хвиль 0,4 - 1,4 мкм за температури T = 300 К. Мета роботи - дослідити вплив молярного вмісту D<^>IVSe2 на механізми міжзонних переходів та основні фотонні параметри кристалів твердих розчинів TlInSe2 - D<^>IVSe2. Установлено, що зміна фізичних властивостей від молярного вмісту компонент x, пов'язаних із перебудовою зонної структури, значно розширює функціональні можливості кристалічних сполук Tl1-xIn1-x(Si, Ge, Sn)xSe2 (x <<= 0,25), як перспективних матеріалів оптоелектронних пристроїв. Індекс рубрикатора НБУВ: З861-03
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|