Генцарь П. О. Оптична спектроскопія детекторних високоомних монокристалів CdTe (111) та твердих розчинів Cd1-xZnxTe (x = 0,1) / П. О. Генцарь, М. А. Міняйло, Л. А. Демчина, М. В. Вуйчик, О. І. Власенко // Оптоелектроніка та напівпровідник. техніка : зб. наук. пр.. - 2023. - Вип. 58. - С. 128-135. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.Телурид кадмію використовується для виготовлення неохолоджуваних детекторів гамма-випромінювання, тверді розчини Cd1-xZnxTe (x = 0,1) використовуються для виготовлення детекторів рентгенівського та гамма-випромінювання. Дослідження впливу легування на фізичні властивості напівпровідників є актуальним як для експериментаторів, так і для теоретичного обгрунтування фізичних процесів. В даній роботі викладено результати із дослідження оптичних спектрів відбивання в спектральному діапазоні <$E(0,2~-~1,7)~cdot~10 sup -6> м та пропускання в області фундаментального оптичного переходу E0 високоомних монокристалів CdTe орієнтації (111) з питомим опором <$Erho~=~(2~-~5)~cdot~10 sup 9> Ом-см, легованих хлором, і твердих розчинів Cd1-xZnxTe (x = 0,1) з питомим опором <$Erho~=~(5~-~30)~cdot~10 sup 9> Ом-см. Оскільки коефіцієнт оптичного відбивання <$ER~=~symbol Ж ( lambda )> пов'язаний із коефіцієнтом оптичного пропускання <$ET~=~symbol Ж ( lambda )> і поглинанням <$ED~=~symbol Ж ( lambda )> співвідношенням R + T + D = 1 (при цьому розсіювання світлової (електромагнітної) хвилі в досліджуваних зразках не враховується), то в даній роботі також побудовано спектри поглинання D = 1 - (R + T) від довжини світлової (електромагнітної) хвилі <$Elambda>. Визначено, що енергія фундаментального оптичного переходу E0 досліджуваних матеріалів при Т = 300 К наступна: для CdTe - 1,44 еВ; а для Cd1-xZnxTe (x = 0,1) - 1,5 еВ. Оцінено час енергетичної релаксації вільних носіїв заряду <$Etau> для монокристалів p-CdTe (111) і твердих розчинів Cd1-xZnxTe (x = 0,1), який дорівнює <$E1,343~cdot~10 sup -14> с; <$E 0,878~cdot~10 sup -14> c відповідно. Показано, що досліджувані кристали мають високу (детекторну) якість, що є визначальним для виготовлення високочутливих та високороздільних сенсорів іонізуючого випромінювання. Практична цінність одержаних результатів полягає у визначенні електронних та фізичних параметрів технічно важливих напівпровідників CdTe і Cd1-xZnxTe (x = 0,1).
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|