РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000833757<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Генцарь П. О. 
Оптична спектроскопія детекторних високоомних монокристалів CdTe (111) та твердих розчинів Cd1-xZnxTe (x = 0,1) / П. О. Генцарь, М. А. Міняйло, Л. А. Демчина, М. В. Вуйчик, О. І. Власенко // Оптоелектроніка та напівпровідник. техніка : зб. наук. пр.. - 2023. - Вип. 58. - С. 128-135. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.

Телурид кадмію використовується для виготовлення неохолоджуваних детекторів гамма-випромінювання, тверді розчини Cd1-xZnxTe (x = 0,1) використовуються для виготовлення детекторів рентгенівського та гамма-випромінювання. Дослідження впливу легування на фізичні властивості напівпровідників є актуальним як для експериментаторів, так і для теоретичного обгрунтування фізичних процесів. В даній роботі викладено результати із дослідження оптичних спектрів відбивання в спектральному діапазоні <$E(0,2~-~1,7)~cdot~10 sup -6> м та пропускання в області фундаментального оптичного переходу E0 високоомних монокристалів CdTe орієнтації (111) з питомим опором <$Erho~=~(2~-~5)~cdot~10 sup 9> Ом-см, легованих хлором, і твердих розчинів Cd1-xZnxTe (x = 0,1) з питомим опором <$Erho~=~(5~-~30)~cdot~10 sup 9> Ом-см. Оскільки коефіцієнт оптичного відбивання <$ER~=~symbol Ж ( lambda )> пов'язаний із коефіцієнтом оптичного пропускання <$ET~=~symbol Ж ( lambda )> і поглинанням <$ED~=~symbol Ж ( lambda )> співвідношенням R + T + D = 1 (при цьому розсіювання світлової (електромагнітної) хвилі в досліджуваних зразках не враховується), то в даній роботі також побудовано спектри поглинання D = 1 - (R + T) від довжини світлової (електромагнітної) хвилі <$Elambda>. Визначено, що енергія фундаментального оптичного переходу E0 досліджуваних матеріалів при Т = 300 К наступна: для CdTe - 1,44 еВ; а для Cd1-xZnxTe (x = 0,1) - 1,5 еВ. Оцінено час енергетичної релаксації вільних носіїв заряду <$Etau> для монокристалів p-CdTe (111) і твердих розчинів Cd1-xZnxTe (x = 0,1), який дорівнює <$E1,343~cdot~10 sup -14> с; <$E 0,878~cdot~10 sup -14> c відповідно. Показано, що досліджувані кристали мають високу (детекторну) якість, що є визначальним для виготовлення високочутливих та високороздільних сенсорів іонізуючого випромінювання. Практична цінність одержаних результатів полягає у визначенні електронних та фізичних параметрів технічно важливих напівпровідників CdTe і Cd1-xZnxTe (x = 0,1).



Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського