Одержані до теперішнього часу результати досліджень можливостей лазерної обробки тонких приповерхневих шарів металів, напівпровідників та діелектриків свідчать про перспективність застосування лазерної обробки і вказують на необхідність подальших досліджень для виявлення і вивчення закономірностей і особливостей дії лазерного випромінювання з різними характеристиками на функціональні матеріали електронної техніки. Враховуючи перспективність лазерної обробки тонких приповерхневих шарів напівпровідників, в роботі було проведено оптичні дослідження спектрів відбивання монокристалів n-Si(100) із питомим опором <$Erho~=~5> Ом-см; n-GaAs із питомим опором <$Erho~=~10> Ом-см; CdTe(111) із питомим опором <$Erho~=~(2~-~5)~cdot~10 sup 9> Ом-см; твердих розчинів Cd1-xZnxTe (x = 0,1) із питомим опором <$Erho~=~(5~-~30)~cdot~10 sup 9> Ом-см в спектральному діапазоні <$E(0,2~-~1,7)~cdot~10 sup -6> м до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 108 мДж/см<^>2 для n-Si(100) та n-GaAs(100), в інтервалі енергій 66 - 164 мДж/см<^>2 для CdTe(111), в інтервалі енергій 46,6 - 163,5 мДж/см<^>2 для твердих розчинів Cd1-xZnxTe (x = 0,1). Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності монокристалів n-Si(100), n-GaAs (100), p-CdTe (111) та твердих розчинів Cd1-xZnxTe (x = 0,1) при даній лазерній обробці. Даний інтегральний ефект пояснюється відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об'єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару відрізняється від комплексного показника заломлення об'єму матеріалу). Одержані спектри оптичного відбивання зразків свідчать, що при опроміненні відбувається лазерно-стимульована взаємодія домішок і дефектів, що призводить до утворення нейтральних комплексів та зменшення інтенсивності процесів домішкового розсіювання. Експериментальні дослідження показали, що основним механізмом впливу імпульсного лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів досліджених кристалів є структурне гетерування, тобто поглинання, зумовлене: наявністю ділянок напівпровідників, що мають дефектну структуру і володіють здатністю активно поглинати точкові дефекти і зв'язувати домішки. В кремнії роль гетера виконують поверхневі шари SiOx, SiO2, Si3N4, SiO2-xP, SiC та інші, в арсеніді галію - Ga2O3, As2O5 та інші, в монокристалах p-CdTe (111) та твердих розчинах Cd1-xZnxTe (x = 0,1) роль гетера виконують окисли кадмію, телуру, цинку та їх комплекси.

• Демчина Любомир Андрійович (фізико-математичні науки)
• Вуйчик Микола В'ячеславович (фізико-математичні науки)
• Генцарь Петро Олексійович (фізико-математичні науки)
• Левицький Сергій Михайлович (технічні науки)
• Левицький Сергій Миколайович (технічні науки)
• Власенко Олександр Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"