За допомогою методу високочастотного (ВЧ) іонно-плазмового розпорошення в атмосфері аргону на монокристалічних підкладинках NaCl та аморфних підкладинках <$Eupsilon - roman SiO sub 2> одержано тонкі плівки ZnGa2O4:Cr. Дослідження морфології поверхні тонких плівок за методом атомно-силової мікроскопії (ACM) показали, що з переходом від підкладинок NaCl до <$Eupsilon - roman SiO sub 2> середній діаметр зерен, що формують поверхню плівки, зменшується від 320 нм до 211 нм. Термооброблення плівок на підкладинках з <$Eupsilon - roman SiO sub 2> в атмосфері аргону слабо впливає на середній діаметр зерен, а термооброблення на повітрі призводить до зростання середнього діаметра зерен до 316 нм. На основі XPS-спектрів показано, що після високотемпературного відпалу у досліджуваних плівках, окрім фази ZnGa2O4, можлива надлишкова присутність фази Ga2O3. Встановлено, що за відпалу плівок ZnGa2O4:Cr на повітрі відбувається зростання зерен вздовж поверхні плівки, а за відпалу в атмосфері аргону відбувається зростання зерен перпендикулярно до поверхні плівки.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"