Bebitov R. R. Distribution of impurities in base-depleted region of diode temperature sensor / R. R. Bebitov, O. A. Abdulkhaev, D. M. Yodgorova, D. B. Istamov, Sh. M. Kuliyev, A. A. Khakimov, A. B. Bobonazarov, A. Z. Rakhmatov // Фізика низ. температур. - 2024. - 50, N 5 (спец. вип.). - С. 458-464. - англ.Продуктивність діодних сенсорів температури залежить від товщини їх збідненої області та профілю розподілу домішок. Досліджено процес дифузії атомів бору в тонкій області прошарку товщиною близько 1 мкм. Показано, що для запропонованої p<^>+ - n - p-структури сенсора температури розподіл домішок в n-області має форму асиметричної параболи, причому крайня точка концентрації зміщена в бік "верхньої" p<^>+-області.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ
 Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|