Координатор проекту: Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Гайдар Галина Петрівна
Пошуковий профіль науковця на порталі НБУВ

ID: 0008757 адреса матеріалу: http://irbis-nbuv.gov.ua/ASUA/0008757

Гайдар Галина Петрівна
(доктор наук)

Списки документів формуються автоматично
на основі електронних ресурсів НБУВ.
До списків можуть бути включені публікації авторів з подібними іменами або однофамільців
      Праці:
  1. [Д] (2014) Вплив ядерного опромінення та теплових полів на кінетику електронних процесів і дефектоутворення в Si і Ge
  2. [К] (2001) Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і ядерної радіації
  3. (2000) Фізичні властивості кристалів кремнію та германію в полях ефективного зовнішнього впливу
  4. (2006) Неоднорідності напівпровідників і актуальні задачі міждефектної взаємодії в радіаційній фізиці і нанотехнології
  5. (2014) Проблеми діагностики реальних напівпровідникових кристалів
  6. (2014) Проблеми діагностики реальних напівпровідникових кристалів
  7. (2014) Радіаційні та ядерні технології в Інституті ядерних досліджень НАН України
  8. (2019) Кінетичні ефекти в багатодолинних напівпровідниках
  9. (2020) Інститут ядерних досліджень НАН України. 50 років наукових досліджень і звершень
      Наукова періодика:
  1. (2010) Епітаксійне вирощування нанооб'єктів і умови прояву ефекту самоорганізації
  2. (2010) Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії
  3. (2012) Анизотропия термоЭДС захвата электронов фононами в n-Ge
  4. (2012) Визначення параметра анiзотропiї термоерс захоплення в багатодолинних напiвпровiдниках
  5. (2012) Некоторые термоэлектрические особенности обычных и трансмутационно легированных кристаллов кремния
  6. (2013) Концентрацiйна залежнiсть тензоопору монокристалiв n−Si
  7. (2013) Механізми формування анізотропії термоелектричних і термомагнітних явищ у багатодолинних напівпровідниках (Огляд)
  8. (2013) Теория анизотропного рассеяния и актуальные задачи кинетики электронных процессов в многодолинных полупроводниках
  9. (2014) Анизотропия термоэлектрических свойств многодолинных полупроводников кубической симметрии под влиянием внешних направленных воздействий
  10. (2014) Вплив високотемпературного вiдпалу на параметри анiзотропiї рухливостi i анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами в n−Si
  11. (2014) Концентрационные зависимости параметра анизотропии подвижности K = μ⊥/μ|| и параметра анизотропии термоэдс увлечения электронов фононами M = α||ф/α⊥ф В n-Ge и n-Si
  12. (2014) Розвиток ядерних технологій в Інституті ядерних досліджень НАН України
  13. (2014) Тензоопір багатодолинних напівпровідників n-Si та n-Ge у широкому інтервалі концентрацій
  14. (2015) Визначення ступеня однорідності кристалів n Ge за даними вимірів магнітоопору в класично слабких магнітних полях
  15. (2015) Експериментальний доказ незмiнностi форми iзоенергетичних елiпсоїдiв n–Ge в умовах сильної одновiсної пружної деформацiї
  16. (2015) О некоторых особенностях анизотропии термоЭДС в недеформированных и упруго деформированных монокристаллах n Si и n Ge
  17. (2016) Влияние термообработки на параметр анизотропии термоЭДС увлечения трансмутационно легированных кристаллов кремния
  18. (2016) Вплив iзовалентної домiшки Ge i термовiдпалiв на електрофiзичнi властивостi кристалiв кремнiю
  19. (2016) Магніто і тензоопір компенсованих кристалів р Ge в області слабких, проміжних і класично сильних магнітних полів
  20. (2017) Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
  21. (2017) Концентрація носіїв у кремнії в процесі перезарядки дивакансії при конфіґураційній перебудові
  22. (2018) Вплив різних режимів термообробки на голлівські параметри та час життя носіїв заряду трансмутаційно леґованих кристалів кремнію
  23. (2018) Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge під впливом термовідпалів
  24. (2018) Концентрационные и температурные зависимости термоэлектрических характеристик упруго деформированного кремния
  25. (2019) До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
  26. (2020) Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
  27. (2021) Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій
     Реферативна база даних "Україніка наукова"
     (наукові видання, опубліковані в Україні):
    база даних на реконструкції, можлива некоректна робота
  1. [Д] (2014) Вплив ядерного опромінення та теплових полів на кінетику електронних процесів і дефектоутворення в Si і Ge
  2. (1999) З'ясування причини зниження параметра анізотропії K = muperpendicular / mu|| в n - Ge при підвищенні внеску домішкового розсіяння
  3. (2000) Фізичні властивості кристалів кремнію та германію в полях ефективного зовнішнього впливу
  4. (2001) Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і ядерної радіації
  5. (2005) Електрично малоактивні домішки і проблема надвисокої чистоти напівпровідникових матеріалів Si і Ge: (Огляд)
  6. (2005) Структурна досконалість бездислокаційних нелегованих об'ємних монокристалів Si, призначених для підкладинок при епітаксійному вирощуванні напівпровідникових наноструктур
  7. (2006) Неоднорідності напівпровідників і актуальні задачі міждефектної взаємодії в радіаційній фізиці і нанотехнології
  8. (2007) Відпал кластерів дефектів у зразках Si та <$E bold roman {Si symbol ... Ge symbol ъ}>, вирощених методом Чохральського
  9. (2007) Скорость введения дефектов в зависимости от дозы облучения p-Si быстрыми нейтронами реактора
  10. (2008) Термический отжиг кластеров и точечных дефектов в n-Si (Cz), облученном быстрыми нейтронами реактора
  11. (2008) Термічний відпал радіаційних дефектів в n-Si, опроміненому швидкими нейтронами реактора
  12. (2009) Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів
  13. (2010) Від нанокластерів до наноструктурованих матеріалів
  14. (2010) Епітаксійне вирощування нанооб'єктів і умови прояву ефекту самоорганізації
  15. (2010) Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії
  16. (2010) Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук
  17. (2010) Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук
  18. (2010) Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук
  19. (2012) Анізотропія термоерс захоплення електронів фононами в n-Ge
  20. (2012) Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках
  21. (2012) Деякі термоелектричні особливості звичайних і трансмутаційно легованих кристалів кремнію
  22. (2012) Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов'язаної зі специфікою прояву багатьох долин
  23. (2013) Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si
  24. (2013) Механізми формування анізотропії термоелектричних і термомагнітних явищ у багатодолинних напівпровідниках
  25. (2013) Теорія анізотропного розсіяння й актуальні задачі кінетики електронних процесів у багатодолинних напівпровідниках
  26. (2013) Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках
  27. (2014) Анізотропія термоелектричних властивостей багатодолинних напівпровідників кубічної симетрії під впливом зовнішніх спрямованих дій
  28. (2014) Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термоерс захоплення електронів фононами в n-Si
  29. (2014) Вплив термовідпалів при 450 і 650 <$E bold symbol Р>C на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
  30. (2014) Концентраційні залежності параметра анізотропії рухливості <$E bold {K~=~ mu sub {symbol <94>} "/" mu sub ||}> і параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами <$E bold {M ~=~ alpha sub || sup ф "/" alpha sub {symbol <94>} sup ф}> в n-Ge та n-Si
  31. (2014) Радіаційні та ядерні технології в Інституті ядерних досліджень НАН України
  32. (2014) Розвиток ядерних технологій в Інституті ядерних досліджень НАН України
  33. (2014) Тензоопір багатодолинних напівпровідників n-Si та n-Ge в широкому інтервалі концентрацій
  34. (2015) Визначення ступеня однорідності кристалів n-Ge за даними вимірів магнітоопору в класично слабких магнітних полях
  35. (2015) Про деякі особливості анізотропії термоерс у недеформованих і пружно деформованих монокристалах n-Si та n-Ge
  36. (2016) Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
  37. (2016) Магніто і тензоопір компенсованих кристалів p-Ge в області слабких, проміжних і класично сильних магнітних полів
  38. (2017) Дослідження змін питомого опору n-Si з температурою і направленим тиском
  39. (2017) Залежність параметра анізотропії термоерс захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
  40. (2018) Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів <$E bold {n- roman {Ge~symbol ... As symbol ъ}}> під впливом термовідпалів
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського