Координатор проекту: Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Большакова Інеса Антонівна
Пошуковий профіль науковця на порталі НБУВ

ID: 0011328 адреса матеріалу: http://irbis-nbuv.gov.ua/ASUA/0011328


Большакова Інеса Антонівна
(доктор наук)




Списки документів формуються автоматично
на основі електронних ресурсів НБУВ.
До списків можуть бути включені публікації авторів з подібними іменами або однофамільців

      Праці:

  1. [Д] (2007) Радіаційностійкі сенсори магнітного поля на основі напівпровідників А3В5 для умов жорсткого випромінювання
  2. [Д] (2007) Радіаційностійкі сенсори магнітного поля на основі напівпровідників А3В5 для умов жорсткого випромінювання
  3. (2001) Мікроелектронні сенсорні пристрої магнітного поля

      Наукова періодика:

  1. (2013) Віскери напівпровідникових матеріалів як результат конкуруючого росту нановіскерів
  2. (2013) Властивості віскерів твердого розчину GaxIn1–xAs, вирощених методом хімічних транспортних реакцій з газової фази
  3. (2014) Основні електрофізичні параметри ниткоподібних мікрокристалів твердого розчину GaxIn1-xAs
  4. (2014) Особливості магнітоопору мікрокристалів InSb за кріогенних температур
  5. (2019) Стабільність сенсорів Холла на основі наноплівок золота та молібдену, опромінених потоками реакторних нейтронів
  6. (2021) Залежність максимальної чутливості холлівських сенсорів магнітних полів на основі графену від температури

     Реферативна база даних "Україніка наукова"
     (наукові видання, опубліковані в Україні):

    база даних на реконструкції, можлива некоректна робота
  1. (2001) Магнітометри для екстремальних умов експлуатації
  2. (2001) Мікроелектронні сенсорні пристрої магнітного поля
  3. (2005) Вплив електронного опромінення на мікрокристали InSb та InAs
  4. (2005) Пристрій картографування магнітного поля циклотронних магнітів на основі матриць холлівських сенсорів
  5. (2006) Опромінення високоенергетичними електронами тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі InSb
  6. (2006) Тонкоплівковий гальваномагнітний 3-D сенсор
  7. (2007) Нові підходи та апаратура для real-time дослідження сенсорів магнітного поля в жорстких радіаційних умовах
  8. (2007) Радіаційностійкі сенсори магнітного поля на основі напівпровідників <$Ebold roman {А sub 3 В sub 5 }> для умов жорсткого випромінювання
  9. (2009) Сенсорні пристрої магнітного поля на сенсорах Холла з розщепленою структурою
  10. (2010) Вплив опромінення високоенергетичними нейтронами та електронами на плівкові сенсори магнітного поля
  11. (2010) Польова характеристика сенсорів магнітного поля на розщеплених холлівських структурах
  12. (2010) Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторі
  13. (2011) Дослідження впливу нейтронного опромінення на тонкоплівкові сенсори магнітного поля
  14. (2011) Параметри та моделі двокоординатного сканера магнітного поля на основі розщеплених холлівських структур
  15. (2012) Радіаційна модифікація як спосіб стабілізації параметрів In-вмісних напівпровідникових матеріалів
  16. (2014) Основні електрофізичні параметри ниткоподібних мікрокристалів твердого розчину GaxIn1-xAs
Подібні імена (у списках можуть бути публікації таких авторів):
  1. Большакова Інеса Антонівна (технічні науки)
  2. Большакова Ірина Віталіївна (фізичне виховання та спорт)

 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського