Досліджено процеси за умов сильної нерівноважності носіїв заряду у разі їх розігріву сильним електричним полем в об'ємних кристалах германію та гетероструктурах n-InGaAs/GaAs із квантовими ямами. Вивчено струмові нестійкості, які виникають за цього, а також утворення просторово-неоднорідних структур у вигляді струмових шнурів або високопольових доменів. Експериментально виявлено теоретично повздовжні термодифузійні автосолітони у вигляді струмових шнурів у кристалах Gе. Показано, що такі автосолітони утворюються у слабкорозігрітій плазмі з високою концентрацією носіїв. Виявлено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs із квантовими ямами в латеральному електричному полі виникають статичні високопольові акустоелектричні домени. Визначено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs з подвійними тунельно-зв'язаними квантовими ямами просторовий перенос електронів у гріючому електричному полі із широких квантових ям у вузькі ями призводить до різкого збільшення інтенсивності далекого інфрачервоного випромінювання електронів.

  Скачати повний текст

Проаналізовано існуючі підходи до нормування ручної та машинно-ручної праці, виявлено їх переваги та недоліки. Доведено необхідність застосування базових систем мікроелементних нормативів (зокрема БСМ-1) з метою створення єдиної нормативної бази за умов існування різних типів виробництва. Розроблено методи та моделі, що дають змогу значно зменшити трудомісткість нормування в порівнянні з існуючими підходами до нормування за БСМ-1 і довести її до рівня, що прийнятий для серійного та штучного виробництва. При цьому можливе збільшення точності нормативів у порівнянні зі спрощеними підходами в кілька разів. Розроблено метод визначення відхилень тривалості процесів праці за умов заданих відхилень його факторів. Для досягнення цих результатів використано методи імітаційного моделювання, експертні системи, інтерактивне моделювання. Розроблено структуру системи та її складових, визначено їх функції та взаємозв'язки.

  Скачати повний текст