Розглянуто дифренційований контроль як складову загальнодидактичної системи навчального процесу, яка забезпечує його ефективність для різних груп учнів шляхом організації пізнавальної діяльності школярів за умови врахування їх індивідуальних відмінностей, прийомів і методів навчання відповідно до особливостей учнів, шляхом розробки спеціальних навчальних завдань, для кожної з визначених типологічних груп. Доведено, що ці завдання дають змогу формувати найбільш раціональні прийоми розумових дій, узагальнювати та систематизувати знання; здійснювати школярами самодіагностику складності навчального матеріалу; діагностувати вчителем рівен навченості учнів; проводити корекцію їх знань; стимулювати інтерес до матеріалу, який вивчається, організувати само- та взаємоперевірку, само- та взаємооцінку, самоускладнення завдань, що взаємопов'язано з рівнем сформованості адекватної самооцінки. Теоретично обгрунтовано й експериментально перевірено технологію використання різнорівневих завдань робочих зошитів з друкованою основою та під час організації контрольно-узагальнювальних уроків-ігор. Виявлено, що умовами успішного використання різнорівневих завдань у таких робочих зошитах та на контрольно-узагальнювальних уроках-іграх є: дотримання вчителем педагогічного такту; раціональна організація роботи учня на заняттях; підвищення працездатності за рахунок усунення прогалин у знаннях учнів і виховання впевненості у своїх силах; самостійний вибір учнями завдань репродуктивного, реконструктивного, творчого рівнів.

  Скачати повний текст

У дисертації досліджено проблему формування інформаційної компетентності майбутніх учителів початкової школи в процесі професійної підготовки. На основі методологічних положень системного, особистісно-діяльнісного, компетентнісного, акмеологічного підходів розкрито суть процесу формування інформаційної компетентності майбутніх учителів початкової школи. У дослідженні запропоновано структуру інформаційної компетентності майбутнього вчителя початкової школи, яка складається з компонентів: інформаційно-когнітивного (передбачає опанування знань та вмінь з розвитку в учнів початкової школи когнітивних процесів: сприйняття, уваги, пам'яті, мислення), інформаційно-методичного (обумовлює опанування знань та умінь з методик навчання дисциплін початкової школи засобами сучасних ІКТ), інформаційно-комп'ютерного (передбачає опанування знань та вмінь щодо опанування сучасних та перспективних ІКТ) та психолого-педагогічних професійно важливих якостей майбутніх учителів початкової школи. Із метою максимальної ефективності процесу формування інформаційної компетентності майбутніх учителів початкової школи запропоновано мікродидактичний комплексний метод організації засвоєння інформації майбутніми вчителями початкової школи, який дозволяє здійснювати фахову підготовку здобувачів вищої педагогічної освіти на репродуктивному, продуктивному та творчому рівнях складності. Теоретично обґрунтовано структурно-функціональну модель формування інформаційної компетентності майбутніх учителів початкової школи, яка реалізується через взаємодію методологічно-цільового, змістово-технологічного та контрольно-результативного блоків. Уточнено діагностично-критеріальну базу педагогічної діагностики, визначено такі критерії: особистісний (ставлення до системного використання ІКТ у професійній діяльності; інтерес до їх застосування та уважність; потреба до опанування та аналізу ІКТ), змістовий (сформованість знань щодо когнітивного розвитку учнів початкової школи; основ використання ІКТ у методичній діяльності вчителя початкової школи, видів і можливостей сучасних ІКТ), операційний (сформованість умінь щодо когнітивного розвитку учнів початкової школи; застосування ІКТ у методиках навчання дисциплін початкової школи та умінь щодо опанування сучасних й перспективних ІКТ) та акмеологічний (здатність до професійної самомотивації засобами ІКТ; методичної рефлексії; методичного вдосконалення засобами ІКТ).Експериментально доведено результативність обґрунтованої структурно-функціональної моделі формування інформаційної компетентності майбутніх учителів початкової школи в процесі професійної підготовки. Отримані теоретичні та практичні висновки мають значення для широкого впровадження розробленої моделі в освітній процес педагогічних закладів вищої освіти.^UThe thesis deals with the issue of forming information competence of future primary school teachers in the process of professional training. Based on methodological patterns of systemic, personality-activity, competency-based, acmeological approaches, the essence of the process of forming information competence of future primary school teachers is determined.The content of the structural components of information competence of future primary school teachers is specified, namely information-cognitive (involves mastering knowledge and skills of developing cognitive processes in primary school students: perception, attention, memory, thinking), information-methodical (provides mastering knowledge and skills in teaching methods at primary school by means of contemporary ICT), information-computer (pro-vides mastering knowledge and skills in using contemporary and potential ICT) and psycho-pedagogical professionally important qualities of future teachers. In order to maximize efficiency of the process of forming information compe-tence of future primary school teachers, a microdidactic complex method of or-ganizing information assimilation by future primary school teachers is offered, which, at reproductive, productive and creative levels of complexity, allows for professional training of students at pedagogical higher education establish-ments. The structural-functional model of forming information competence of future primary school teachers is theoretically substantiated. It is fulfilled by combining a methodological-target block, a content-technological block and a control-result block. The diagnostic-criteria base of pedagogical diagnostics is specified. The following criteria are defined: a personal criterion (attitude to systematically using ICT in professional activity; interest in using ICT and at-tention; need to master and analyze ICT), a content criterion (formed knowledge of cognitive development of primary school students, fundamentals of using ICT in methodological activities of primary school teachers, types and opportunities of contemporary ICT), an operational criterion (formed skills of cognitive development of primary school students, using ICT in primary school teaching methods and skills of mastering contemporary and potential ICT) and an acmeological criterion (ability to get professional self-motivation by means of ICT; methodical reflection; methodical improvement by means of ICT).Effectiveness of the substantiated structural-functional model of forming infor-mation competence of future primary school teachers in the process of profes-sional training is experimentally proven. The obtained theoretical and practical conclusions are important for wide implementation of the developed model in the educational process at pedagogical higher education establishments.

Дисертаційна робота присвячена вивченню спрямовано закристалізованих сплавів систем B4C-NbB2-SiC і B4C-TaB2-SiC, зокрема дослідженню їх структури, фазового складу, фізико-механічних і високотемпературних властивостей, а також закономірностей структуроутворення квазіпотрійних евтектичних сплавів.Автором проаналізовано властивості компонентів досліджуваних систем, розглянуто методи отримання спрямовано закристалізованих евтектичних сплавів, проведено огляд подвійних евтектичних систем типу B4C-MeB2, SiC-B4C і SiC-MeB2 та потрійних евтектичних систем B4C-MedB2-SiC. Розглянуто особливості структуроутворення в евтектичних системах і проаналізовано механічні властивості спрямовано закристалізованих сплавів.За допомогою металографічного аналізу визначено евтектичний склад сплавів систем B4C-NbB2-SiC і B4C-TaB2-SiC: B4C-(15-20)NbB2-(33-40)SiC та B4C-(8-12)TaB2-(38-42)SiC (мол. %) відповідно.Уперше експериментально отримано трифазові евтектичні композити B4C-NbB2-SiC і B4C-TaB2-SiC із рівномірною структурою вздовж усього зразка.Установлено, що евтектична структура сплавів системи B4C-NbB2-SiC містить три фази: B4C, NbB2, SiC. Трифазова евтектика (B4C-15NbB2-35SiC мол. %) має ламелярну структуру, в якій карбід бору виступає як матриця з рівномірно розподіленими по всьому об'єму включеннями карбіду кремнію та дибориду ніобію. Для композитів у поперечному до вирощування напрямку спрямованою є текстура фаз NbB2 у напрямку (100), SiC – у напрямку (111) та B4C – у напрямку (104). Найбільш направленою є фаза SiC у напрямку (111), як у поздовжньому, так і в поперечному до вирощування напрямках, для якої розрахований фактор Лотгеринга лежить у межах 0,8–0,9. Структурні складові у трифазовій евтектиці мають такий розмір: B4C – 4–6 мкм, NbB2 – 1–3 мкм, SiC – 2–3 мкм. Визначені такі механічні властивості евтектичного композиту B4C-15NbB2-35SiC: твердість за Віккерсом (35,8 ГПа), тріщиностійкість за навантаження 9,8 Н (6,4 МПа∙м1/2), модуль Юнга за імпульсним методом (462 ГПа), питома електропровідність (2,85–5,36×104 См/м); досліджено коефіцієнт термічного розширення у проміжку температур 22–1600 °С, міцність на згин за кімнатної температури (220 МПа) та за 1600 °С (395 МПа). Структура трифазового евтектичного композита B4C-8TaB2-40SiC (мол. %) являє собою рівномірну трифазову евтектику системи B4C-TaB2-SiC ламелярного типу по всьому об'єму зразка, в якій матрицею виступає карбід бору, а SiС та TaB2 є армуючими фазами. Загалом сплави систем B4C-TaB2-SiC та B4C-NbB2-SiC мають подібну евтектичну структуру. Рентгенофазовий аналіз показав наявність лише таких фаз: карбіду кремнію (SiC), карбіду бору та дибориду танталу; жодних інших фаз не виявлено. Встановлено взаємозв'язок між швидкістю кристалізації та лінійним параметром евтектичної структури відповідно до рівняння Джексона – Ханта.Визначено такі механічні властивості евтектичного композита B4C-8TaB2-40SiC: твердість за Віккерсом (33–34 ГПа), тріщиностійкість за навантаження 9,8 Н (3,9 МПа∙м1/2), досліджено коефіцієнт термічного розширення у проміжку 22–1600 °С.Показано, що зі збільшенням швидкості кристалізації від 1 до 10 мм/хв. відбувається зменшення розмірів структурних складових від 5,2 - 9,5 мкм до 1 - 3 мкм. Експериментальні дослідження мікромеханічних властивостей показали, що твердість за Віккерсом і тріщиностійкість зростають зі збільшенням швидкості кристалізації як у поздовжньому, так і в поперечному до вирощування напрямках. Збільшення твердості з підвищенням швидкості кристалізації спрямовано закристалізованих сплавів систем B4C-NbB2-SiC і B4C-TaB2-SiC відбувається подібно до правила Холла–Петча. Що стосується тріщиностійкості, то зменшення розмірів структурних складових сприяє зменшенню критичного розміру зародкової тріщини, яка може утворитися при навантаженні. Це також є характерним для спрямовано закристалізованих керамічних евтектик і сприяє підвищенню їх механічних властивостей. Результати аналізу поширення тріщини після індентування свідчать, що найбільш легко тріщина проходить по ділянках матричної фази карбіду бору або включень карбіду кремнію. Водночас наявність у структурі включень карбіду кремнію і диборидів приводить, як правило, або до зміни напрямку поширення тріщини, тобто до її відхилення, або взагалі до її зупинки, що своєю чергою сприяє підвищенню енергії руйнування і, отже, тріщиностійкості композита.Проаналізовано особливості структуроутворення та встановлено механізм росту трифазової чотирикомпонентної евтектики в системі B4C-NbB2-SiC, відповідно до якого кристалізація трифазової евтектики (В4С+NbB2+SiC) відбувається як безперервний сумісний ріст дендритних фаз, коли двофазова структурна складова (SiC+NbB2) росте в кооперативному режимі, а третя фаза В4С синхронно росте в автономному.Побудовано просторову модель евтектичної комірки для системи В4С-NbB2-SiC.^UThe dissertation is devoted to the study of directionally crystallized alloys of the B4C-NbB2-SiC and B4C-TaB2-SiC systems, in particular to the study of their structure, phase composition, physical-mechanical and high-temperature properties, as well as regularities of structure formation of quasi-triple eutectic alloys. The author analyzes the properties of studied systems' components, considers the methods of obtaining directionally crystallized eutectic alloys, reviews double eutectic systems such as B4C-MeB2, SiC-B4C, and SiC-MeB2 and ternary eutectic systems B4C-MedB2-SiCd. Features of structure formation in eutectic systems were considered, mechanical properties of directionally crystallized alloys were analyzed.The eutectic composition of alloys of the B4C-NbB2-SiC and B4C-TaB2-SiC systems was determined by metallographic analysis: B4C-(15-20)NbB2-(33-40)SiC and B4C-(8-12)TaB2-(38-42)SiC (mol.%), respectively.Ternary eutectic composites B4C-NbB2-SiC and B4C-TaB2-SiC with a uniform fine structure along the entire sample were experimentally obtained.It is established that the eutectic structure of the B4C-NbB2-SiC system contains three phases: B4C, NbB2, SiC. The ternary eutectic (B4C-15NbB2-35SiC mol.%) has a lamellar structure in which boron carbide acts as a matrix evenly distributed throughout the volume inclusions of silicon carbide and niobium diboride. For composites in the transverse direction, there is a directed texture of phases of the NbB2 in the direction (100), SiC in the direction (111), and B4C in the direction (104). The most directional phase is the SiC phase in the direction (111), both in the longitudinal and in the transverse directions, for which the calculated Lotgering factor is in the range of 0.8−0.9. The structural components in the ternary eutectic have the following sizes: B4C − 4−6 μm, NbB2 − 1−3 μm, SiC − 2−3 μm. The following mechanical properties of the eutectic composite B4C-15NbB2-35SiC were determined: Vickers hardness (35.8 GPa), fracture toughness under load 9.8 N (6.4 MPa∙m1/2), Young's modulus by the impulse method (462 GPa), electrical conductivity (2.85−5.36×104 Cm/m); the сoefficient of thermal expansion in the range of 22−1600 °С, flexural strength at the room temperature (220 MPa) and 1600 °C (395 MPa) were investigated.The structure of the ternary eutectic composite B4C-8TaB2-40SiC (mol.%) is a uniform ternary eutectic system B4C-TaB2-SiC of a lamellar type throughout the volume of the sample, in which boron carbide is the matrix, and SiC and TaB2 act as reinforcing phases. In general, the systems B4C-TaB2-SiC and B4C-NbB2-SiC have a similar eutectic structure. The X-ray phase analysis showed the presence of only the following phases: silicon carbide, boron carbide, and tantalum diboride; no other phases were detected. The correlation between the crystallization rate and the linear parameter of the eutectic structure was established.The following mechanical properties of the eutectic composite B4C-8TaB2-40SiC were determined: Vickers hardness (33−34 GPa), fracture toughness under a load of 9.8 N (3.9 MPa∙m1/2), the coefficient of thermal expansion in the range of 22−1600 °С was investigated.The influence of crystallization rate on the structure and properties of the obtained composites has been investigated. Increasing the crystallization rate leads to a change in the morphology of inclusions from the plate-like one to more lamellar, as well as to a natural size reduction of the structural components. Experimental studies of micromechanical properties have shown that Vickers hardness and fracture toughness increase with increasing crystallization rate in both the longitudinal and transverse to the growth directions. The increase in hardness with increasing the rate of crystallization of the directionally crystallized alloys B4C-NbB2-SiC and B4C-TaB2-SiC occurs similarly to the Hall−Patch rule. The analysis of crack propagation after indentation showed that the crack most easily passes through the areas of the matrix phase of boron carbide or silicon carbide inclusions.However, the presence of silicon carbide and diborides inclusions in the structure leads either to a change in the direction of motion, ie deviation of the crack, or to its cessation in general, which, in turn, increases the fracture energy and, consequently, fracture toughness of the composite.Peculiarities of structure formation were analyzed and the mechanism of growth of the ternary four-component eutectic in the B4C-NbB2-SiC system was established. According to this mechanism, crystallization of ternary eutectic (В4С-NbB2-SiC) occurs as continuous compatible growth of dendritic phases, while the two-phase structural component (SiC-NbB2) increases in the cooperative mode, and the third phase В4С grows synchronously in the autonomous mode.A spatial model of an eutectic cell for the В4С-NbB2-SiC system was constructed.