Виявлено основні тенденції демографічних процесів, прослідковано динаміку зайнятості та безробіття населення у розрізі вікових груп. Зазначено, що у майбутньому має місце тенденція зменшення групи 0 - 15 рр., яку слід визначити як потенційно схильну до міграції. Встановлено, що це обумовлює необхідність започаткування активних заходів державної політики зайнятості до підготовки та залучення населення даної вікової групи до трудової діяльності у межах країни. Досліджено рівні зайнятості та безробіття населення за ринкових умов. Здійснено прогноз зайнятосі на період до 2005 року. Визначено та науково обгрунтовано основні важелі реалізації економічних механізмів державного регулювання зайнятості населення з урахуванням стратегії розвитку економіки у цілому.

  Скачати повний текст

Методами лазерної поляриметрії досліджено взаємозв'язки між набором статистичних параметрів, які описують оптико-геометричну структуру фазово-неоднорідних шарів (ФНШ), архітектоніку біотканин (БТ) і сукупністю поляризаційних, поляризаційно-кореляційних і вейвлет-характеристик їх зображень і спекл-полів. Встановлено однозначний взаємозв'язок між локальним станом поляризації граничного поля з одного боку та кутами нахилу мікронерівностей шорстких поверхонь і розподілом показника двопроменезаломлення речовини ФНШ з іншого. Розроблено методи поляризаційної рельєфометрії та дефектоскопії ФНШ, ефективні для задач визначення функцій розподілу кутів нахилу шорстких поверхонь і показника двопроменезаломлення їх речовини. Запропоновано стоксполяриметричний метод поляризаційної селекції інформації, ефективний у діагностиці ФНШ, та який забезпечує рівень підвищення відношення сигнал - шум (ВСШ) у їх зображеннях до 2 порядків. Визначено механізми формування ймовірнісних розподілів азимутів і еліптичностей поляризації об'єктного поля БТ як сукупності оптично одновісних структур з кристалітним та архітектонічним рівнями організації. Розроблено методи поляризаційно-фазової реконструкуції кристалітної архітектонічної структури БТ. Досліджено залежність елементів наведеної матриці Мюллера від орієнтаційної та фазової структури архітектоніки БТ. Розроблено метод поляризаційної двовимірної томографії БТ, ефективний у візуалізації та підвищенні ВСШ зображення архітектоніки БТ та сукупності її орієнтаційних томограм. Проаналізовано можливості поляризаційно-кореляційного та вейвлет-аналізу зображень архітектоніки БТ та її орієнтаційних томограм. Встановлено взаємозв'язки між статистичними параметрами, кореляційними функціями та коефіцієнтами вейвлет-розкладу поляризаційно відфільтрованих зображень архітектоніки та її орієнтаційно-фазовою структурою у фізіологічно нормальному та патологічно зміненому станах.

  Скачати повний текст

На базі методів поляризаційно-інтерференційного картографування досліджено взаємозв'язки між набором статистичних моментів I - IV порядків та log-log залежностей спектрів потужності, які описуть оптико-геометричну структуру зовнішньої та внутрішньої складових біологічних тканин (БТ) з сукупністю статистичних і фрактальних параметрів їх поляризаційних мап і Мюллер-матричних зображень. Установлено та проаналізовано механізми формування сингулярностей (нулів амплітуди) об'єктних полів шорстких поверхонь біологічного походження. Знайдено взаємозв'язок між набором статистичних моментів I - IV порядків, що описують геометрію й анізотропію архітектоніки БТ, і сукупністю відповідних статистичних моментів їх поляризаційних мап. Розроблено Мюллер-матричний метод реконструкції зовнішньої та внутрішньої складових БТ. Виявлено, що найбільш чутливим до змін орієнтаційної та фазової структури архітектонічних сіток ексцес відповідних координатних розподілів. Показано, що геометричні й анізотропні оптичні властивості архітектоніки фізіологічно нормальних БТ мають фрактальну структуру. Для фізіологічно змінених БТ характерний стохастичний або статистичний характер 2D-розподілів елементів їх матриці Мюллера.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Дисертаційна робота присвячена розробці радіаційно-стійких фотоструктур на основі напівпровідників CdTe, Cd1-xMnxTe (х=0,2), In2Hg3Te6 та вдосконаленню методів вирощування кристалів цих напівпровідників.Одержані фотодіоди Шотткі на In2Hg3Te6 з металевою плівкою Cr характеризуються чутливістю у спектральному діапазоні 0,61,7 мкм, мають величину струмової монохроматичної чутливості 0,43 А/Вт (на довжині хвилі 1,55 мкм). Темновий струм таких ФДШ знаходиться в діапазоні 1÷4 мкА при зворотному зміщенні 1 В, а висота потенціального бар'єру 0, дорівнює 0,41 еВ. Виготовлені ФДШ витримують γ-дози опромінення до 2108 бер.Поверхнево-бар'єрні фотоструктури на CdTe та Cd1-xMnxTe (х=0,2) характеризуються фоточутливістю в області спектру 0,5÷0,91 мкм, висота потенціального бар'єру 0 для структур на CdTe дорівнює 0,9 еВ, а протікання струму характеризується двома механізмами переносу заряду – генераційно-рекомбінаційним та інжекційним, їх коефіцієнт випрямлення складає k104 (для CdTe). Спектральна залежність фотовідгуку структур на основі CdTe та Cd1 xMnxTe має додаткові максимуми (Е=1,5 еВ – для CdTe; E1=2,01 еВ, E2=2,31 еВ – для Cd1 xMnxTe), які зміщені в короткохвильову область і не пов'язані із власними переходами.Одержані структури можуть бути успішно використані в якості детекторів, що чутливі у видимій на ближній інфра-червоній ділянках спектру та працюють в умовах сильного іонізуючого випромінювання на заміну Si-фотодетекторів.^UThe PhD thesis is devoted to the development of radiation-resistant photostructures based on semiconductors CdTe, Cd1-xMnxTe (x=0.2), In2Hg3Te6 and the improvement of methods for growing crystals of these semiconductors.The obtained Schottky photodiodes on In2Hg3Te6 with Cr metal film are characterized by sensitivity in the spectral range of 0.6÷1.7 μm, have a current monochromatic sensitivity of 0.43 A/W (at a wavelength of 1.55 μm) and a dynamic range of not less than 8 orders of magnitude (from 10-3 to 105 lx). The dark current of such SPD is in the range of 1÷4 μA at a reverse offset of 1 V, and the height of the potential barrier 0 is equal to 0.41 eV. Manufactured SPD can withstand doses of γ-rays up to 2108 rem.Surface-barrier photostructures on CdTe and Cd1-xMnxTe (x=0.2) are characterized by photosensitivity in the spectral region 0.5÷0.91 μm, the height of the potential barrier 0 for structures on CdTe is 0.9 eV, and the current flow is characterized by 2 mechanisms of charge transfer: generation-recombination and injection, their rectification coefficient is k104 (for CdTe). The spectral dependence of the photoresponse of structures based on CdTe and Cd1 xMnxTe has additional peaks (E = 1.5 eV – for CdTe; E1 = 2.01 eV, E2 = 2.31 eV – for Cd1 xMnxTe), which are shifted to the shortwave region and not associated with their own transitions.The obtained structures can be successfully used as detectors that are sensitive in the near-infrared region of the spectrum and work in conditions of strong ionizing radiation to replace Si-photodetectors.