Бази даних

Автореферати дисертацій - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (102)Книжкові видання та компакт-диски (206)Журнали та продовжувані видання (3)
Пошуковий запит: (<.>U=В372.6,022$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 62
Представлено документи з 1 до 20
...

      
1.

Репецький Є.С. 
Фотоелектронні властивості плівок і кристалів на основі комплексів із внутрішьомолекулярним переносом заряду: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Є.С. Репецький ; НАН України. Ін-т фізики. — К., 2004. — 23 с. — укp.

Показано, що термпературна залежність часу затухання фотолюмінесценції кристалів ЦБК зумовлена термічною дисоціацією синглетних екситонів з переносом заряду. Енергія активації дисоціації екситону для кристалів складає ~ 0,02 ев. На підставі дослідженої залежності фотоструму від частоти збудливого випромінювання встановлено, що фотопровідність кристалів ЦБК і ЦБА є власною. Розвинуто метод урахування електронних кореляцій у разі розрахунку електронної структури кристалів і молекул. На відміну від відомого методу молекулярних орбіталей - лінійної комбінації атомних орбіталей МО ЛКАО, що грунтується на наближенні середнього поля Хартрі - Фока, запропоновано метод, який є виходом за межі цього наближення. З'ясовано механізм двофотонно збудженої фотолюмінесценції кристалів та плівок ЦБК, що пов'язаний з переходами з внутрішньомолекулярним переносом заряду переважно з атомів водню (H) молекули карбазолу на атоми азоту (N) і вуглецю (C) ціаногрупи та з переходами з екситонних станів з міжмолекулярним переносом заряду між двома сусідніми взаємодіючими молекулярними ланцюгами.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В377.14,022 +
Шифр НБУВ: РА330854

Рубрики:

      
2.

Сорока В.П. 
Фотоелектричні властивості поверхні (III) алмазних полікристалічних плівок: автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / В.П. Сорока ; НАН України. Донец. фіз.-техн. ін-т ім. О.О.Галкіна. — Донецьк, 2007. — 17 с. — укp.

Визначено фактори (густину потоку фотонів, напруженість електричного поля), що впливають на його характеристики та відтворюваність експериментальних результатів. У процесі дослідження електрофізичних характеристик за стаціонарних умов та під дією опромінювання різної інтенсивності виявлено анізотропію провідності алмазних полікристалічних плівок.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В377.14,022 + Л463.8 +
Шифр НБУВ: РА353567

Рубрики:

      
3.

Багмут О.Г. 
Формування структури і фазові перетворення при імпульсній лазерній конденсації металевих, оксидних і напівпровідникових плівок: Автореф. дис... д- ра фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.Г. Багмут ; Харк. нац. ун-т ім. В.Н.Каразіна. — Х., 2004. — 34 с.: іл. — укp.

Досліджено фізичні механізми формування структури за умови дискретного осаджування на підкладку пароплазмового потоку, сформованого імпульсним лазерним розпиленням одноелементних металевих і напівпровідникових мішеней, а також структурні та фазові перетворення у плівках у постконденсаційний період. Запропоновано моделі та встановлено умови утворення епітаксійних, полікристалічних і аморфізованих газонасичених конгломератних структур. Детально вивчено стадії росту й експериментально обгрунтовано модель поверхні епітаксіального лазерного конденсату, що визначає структурні перебудови під час подальшого відпалу або природного старіння. На підставі узагальнення всіх одержаних даних вперше виявлено і класифіковано основні типи структурних та фазових станів, характер нерівноважності та типи релаксаційних процесів, що протікають у постконденсаційний період у лазерних конденсатах ряду металів з різним ступенем хімічної активності.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В343.14,022 +
Шифр НБУВ: РА329032

Рубрики:
  

      
4.

Кляхіна Н.П. 
Формування структури і фізичних властивостей нітридних плівок, отриманих методами реактивного розпилювання на підкладках Si, Ni, Ti, Ta, Mo і W: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Н.П. Кляхіна ; НАН України. Донец. фіз.-техн. ін-т ім. О.О.Галкіна. — Донецьк, 2004. — 23 с.: рис., табл. — укp.

Досліджено механізм процесу росту нітридних плівок на кристалічних підкладках, одержаних за методом іонної імплантації (ІІ), які задовільно узгоджуються з експериментальними даними стосовно кінетики росту плівок. На підставі порівняльного аналізу результатів показано відмінність у структурі, фазовому складі, кінетиці росту та властивостях нітридних плівок на підкладках Si, Ni, Mo, W, Ti і Ta за використання методів напилювання ІІ, конденсації з іонним бомбардуванням (КІБ) і ВЧМР. Визначено структурно-фазовий стан, кінетику росту та властивості нітридних плівок у системах W - N, Mo - N і Ni - N. Установлено істотне підвищення (у 2 - 10 разів) адгезії нітридних плівок, одержаних з використанням методів ІІ та КІБ у порівнянні з плівками, отриманими за ВЧМР. Здійснено оцінку гетероепітаксійної температури у системах Si - AlN, Si - TiN.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 +
Шифр НБУВ: РА334469

Рубрики:

      
5.

Нетяга 
Фізика і технологія інтеркальованих сполук A3B6 та приладів на їх основі: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01 / Віктор Васильович Нетяга ; НАН України та Міністерство освіти і науки України; Інститут термоелектрики. — Чернівці, 2004. — 20 с. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + З264.6
Шифр НБУВ: РА328811

Рубрики:

      
6.

Нич А.Б. 
Тонкі плівки рідких кристалів з виродженими граничними умовами: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.15 / А.Б. Нич ; Ін-т фізики НАН України. — К., 2001. — 20 с. — укp.

Показано, що у вільнопідвішених плівках нематичного рідкого кристала 5ЦБ спостерігаються стабільні текстури: гомеотропна та планарна шлірен-текстура. Встановлено, що тип орієнтації у плівках змінюється залежно від швидкості охолодження півки з ізотропної фази до нематичної. Проаналізовано ієрархію структур у вільнопідвешеній плівці нематичного рідкого кристала. Виявлено значну зміну форм крапель нематичного рідкого кристалу, завислих у рідкому ізотропному полімері, за дії зовнішнього змінного електричного поля. Встановлено, що у разі діелектричного характеру взаємодії деформована крапля має форму витягнутого еліпсоїда, а за провідного характеру взаємодії крапля набуває веретеноподібної форми. Розраховано величину критичного поля, за якої крапля починає деформуватися. Експериментально виявлено немонотонність зміни коефіцієнта поверхневого натягу на межі рідкий кристал - полімер зі зростанням концентрації іонів. Вперше експериментально отримано гексагональну структуру в системі крапель гліцерину, завислих у нематичній плівці з гібридною орієнтацією директора. Експериментально отримано залежність періоду структури від розміру крапель.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.35,022 + В372.6,022
Шифр НБУВ: РА316901 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
7.

Космінська Ю.О. 
Структуроутворення шарів Al, Cu, Ni, Cr, Ta, Ti та C при нерівноважному переході речовини в конденсований стан: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Ю.О. Космінська ; Сум. держ. ун-т. — Суми, 2005. — 19 с.: рис. — укp.

Вивчено закономірності та механізми селективного зародження та росту різних структурно-фазових форм вакуумних конденсатів за умов стаціонарного нерівноважного переходу речовини у конденсований стан на прикладі деяких металів та вуглецю. Досліджено роль фізичних властивостей осаджуваних матеріалів та ступеня нерівноважності конденсації щодо проявів польової, структурної та фазової селективностей під час осадження речовини зі слабкопересичених парів, а також з високопересичених парів за безпосередньої дії плазми на ростову поверхню. Вивчено формування високопористих шарів різної "архітектури" та деяких фазових модифікацій вуглецю залежно від ступеня прояву певного виду селективності.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В375.1,022 +
Шифр НБУВ: РА337489

Рубрики:

      
8.

Політанський Р.Л. 
Структурні та оптичні властивості багатокомпонентних тонких плівок, модифікованих активними обробками: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Р.Л. Політанський ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2001. — 16 с. — укp.

Показано, що введення вуглецю в процесі іонної імплантації більш ефективно впливає на рівень механічних напружень в епітаксійних структурах Si - Ge, ніж легування під час плазмохімічного осадження. За допомогою методу високороздільної двокристальної рентгенівської дифрактометрії вперше виявлено аморфізований шар на межі поділу епітаксійної плівки Si - Ge (отриманої внаслідок плазмохімічного осадження) - підкладка Si. Досліджено вплив температури підкладки на структуру плівок Cd - Hg - Se, виготовлених методом лазерного розпилення. На базі даних про температурну залежність коефіцієнта Хола запропоновано модель, яка пояснює структурні зміни в плівках.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В374,022 + К232.602.6 + К235.230,26
Шифр НБУВ: РА315319 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
9.

Коновалов В.А. 
Структура, склад, особливості росту та властивості плівок диборидів танталу і гафнію: автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / В.А. Коновалов ; Ін-т електрофізики і радіац. технологій НАН України. — Х., 2010. — 20 с. — укp.

Вивчено вплив термічного нагрівання підкладки та низькоенергетичного іонного й електронного бомбардування поверхні осадження на процеси, що відбуваються у разі конденсації плівок. Визначено залежність фізико-механічних характеристик покриттів від їх структурного стану, складу та розміру зерна, наведено її фізичне пояснення. Виявлено спільні фізичні закономірності процесу росту наноструктурних покриттів дибориду танталу та дибориду гафнію.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022
Шифр НБУВ: РА372834 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
10.

Петухов В.В. 
Структура, кінетика зростання та властивості плівок боридів та боронітридів ванадію і танталу: автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / В.В. Петухов ; НАН України. Ін-т електрофізики і радіац. технологій. — Х., 2008. — 20 с. — укp.

Наведено результати системних експериментальних і теоретичних досліджень щодо вивчення змін складу, структури й фізико-механічних властивостей плівок у системах V - B, V - B - N і Ta - B, Ta - B - N. Виявлено вплив геометрії розпилювальної системи та умов розпилення на властивості одержаних плівок. Встановлено, що за умов осадження плівок високотемпературних сполук, головним чинником, який впливає на склад і структуру плівок є умови переносу розпилених атомів мішені до поверхні конденсації. Запропоновано механізм, що дає можливість провести моделювання впливу умов транспортування речовини крізь розрядний проміжок на зміни характеристик потоків атомів, що конденсуються на підкладці. Виявлено, що за допомогою моделювання за запропонованою схемою можна здійснити підбір параметрів розпилення й осадження, які найбільш сприятимуть осадженню плівок з бажаними властивостями. Запропоновано спосіб одержання багатошарових боридних і нітридних структур перехідних металів з заданими фізико-механічними властивостями в одному технологічному циклі на базі використання однієї мішені, варіювання режимів розпилення та співвідношення товщини в шарах. З'ясовано, що даний спосіб дає можливість захистити плівки боридів ванадію від окиснення. Наведено практичні рекомендації для одержання нанокристалічних плівок досліджених сполук.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 +
Шифр НБУВ: РА355802

Рубрики:

      
11.

Терпій Д.М. 
Структура та фізичні властивості боридних плівок, отриманих ВЧ-магнетронним розпиленням: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Д.М. Терпій ; Донец. фіз.-техн. ін-т ім. О.О.Галкіна НАН України. — Донецьк, 2004. — 18 с. — укp.

Залежно від умов фазоутворення та механізму зростання плівки, обумовлених змінами характеру розподілу адатомів за енергіями, визначено три характерних режими роботи систем ІПР, які на практиці зручно розрізняти за значеннями параметра pd. Запропоновано механізм переносу розпиленої речовини на поверхню підкладки, що дозволяє за допомогою комп'ютерного моделювання одержувати дані про характеристики потоків атомів, які конденсуються, і здійснювати якісне прогнозування структури та властивостей одержаних плівок.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + К663.033.057.2 + К663.63 +
Шифр НБУВ: РА334760

Рубрики:

      
12.

Саадлі Хішам 
Структура та теплове розширення тонких плівок фулериту C60: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Саадлі Хішам ; Харківський національний ун-т ім. В.Н.Каразіна. — Х., 2004. — 20 с.: рис., табл. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В375,022 + В372.6,022
Шифр НБУВ: РА328733

Рубрики:

      
13.

Дмитренко О.П. 
Структура та оптичні властивості плівок фулеренів при легуванні і опроміненні: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.П. Дмитренко ; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 2005. — 23 с.: рис. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В374,022 +
Шифр НБУВ: РА335982

Рубрики:

      
14.

Гулівець О.М. 
Структура та властивості плівок Co - P, отриманих при імпульсних діях: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.М. Гулівець ; Дніпропетр. нац. ун-т. — Д., 2003. — 18 с.: рис. — укp.

Досліджено вплив величини та швидкості зміни катодної перенапруги на формування аморфної або мірокристалічної структури в плівках Co - P за умов імпульсного електроосадження. Встановлено, що плівки, одержані за даної технології, зі зростанням вмісту фосфору аморфізуються за меншої концентрації фосфору, ніж плівки, одержані з використанням постійного струму та мають унікальні фізико-хімічні властивості. спільного аналізу радіальної функції розподілу (РФР) атомів і моделювання профілів дифракційних піків структурних чинників. Згідно з моделлю, атоми кобальту групуються в області впорядкованого розташування атомів (ОВРА) у вигляді тетраедрів, зазори між якими заповнені атомами фосфору. Встановлено, що атоми фосфору, змінюючи ближній порядок в аморфному сплаві, не впливають на структуру ОВРА, яка близька до структури -Co. У разі апозидованої РФР атомів досліджено структуру атомного розташування в аморфних плівках Co - P. Виявлено, що зміна концентрації фосфору від 8 до 16 ат. призводить до збільшення від 39 до 95 % імовірності формування в структурі ближнього порядку сплавів Co-P ОВРА зі структурою, близькою до ГЦК, імовірність формування ОВРА зі структурою ГЩУ зменшується від 59 до 3 %. Визначено, що у разі відпалу сплаву Co84P16 до температури 653 К імовірність формування ОВРА зі структурою, близькою до ГЦК, зменшується від 95 до 50 %, а з ГЩУ - збільшується від 3 % до 48 %. Запропоновано спосіб одержання багатошарових плівок Co - P з послідовно розташованими магнітожорсткими та магнітом'якими шарами. Це дає змогу одержувати з одного електроліту багатошарових плівок Co - P з заданими структурою та фізико-хімічними властивостями.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 +
Шифр НБУВ: РА323118

Рубрики:

      
15.

Войнарович 
Структура і стимульовані зміни параметрів об'ємних та плівкових нанокомпозитів Bi(Sb)-As2S3: автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Іван Миколайович Войнарович ; Державний вищий навчальний заклад "Ужгородський національний ун-т". — Ужгород, 2009. — 20 с. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В371.236,022
Шифр НБУВ: РА364785

Рубрики:

      
16.

Джежеря 
Статичні і динамічні властивості нелінійних магнітних утворень у низьковимірних феромагнітних системах: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Юрій Іванович Джежеря ; Національний технічний ун-т України "Київський політехнічний ін-т". — К., 2000. — 28 с. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В377.34,022
Шифр НБУВ: РА310822

Рубрики:

      
17.

Коваленко О.М. 
Спектроскопія тонких плівок комплексних сполук на основі галогенідів міді та лужних металів: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.05 / О.М. Коваленко ; Харк. нац. ун-т ім. В.Н.Каразіна. — Х., 1999. — 16 с. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В374.7,022 + В372.314.2,022
Шифр НБУВ: РА307846 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
18.

Часовський К.В. 
Синтез і дослідження фізичних властивостей плівок стабілізованої при низьких температурах delta-фази Bisub2/sub Osub3/sub: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / К.В. Часовський ; Дніпропетр. нац. ун-т. — Д., 2005. — 17 с. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В368.3,022 + В372.6,022 +
Шифр НБУВ: РА340353

Рубрики:

      
19.

Павлов Є.В. 
Розрахунок потенціалу міжатомної взаємодії і міжатомних кореляцій в кристалах з застосуванням псевдопотенціалів: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Є.В. Павлов ; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 2004. — 19 с. — укp.

Одержано розв'язок системи рівнянь для знаходження рівноважних значень набору параметрів порядку для бінарного сплаву з найпростішим типом гратки в області температур, нижчих за температуру фазового переходу порядок-безлад.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В377.1,022 + В372.6,022 +
Шифр НБУВ: РА331166

Рубрики:

      
20.

Сухов Р. В. 
Розмірні ефекти при плавленні-кристалізації в одно- і двошарових плівкових системах: автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Р. В. Сухов ; Харк. нац. ун-т ім. В.Н. Каразіна. — Х., 2011. — 20 с. — укp.

Уперше визначено критичну товщину контактного плавлення в бінарних шаруватих плівкових системах евтектичного типу (Su - Bi, Ge - Au), тобто товщину плівки одного з компонентів, що перебуває в контакті з товстою плівкою другого компонента, нижче за яку формування рідкої фази в системі за евтектичної температури не відбувається. Уперше встановлено залежність температури плавлення евтектики Ge - Au на аморфній вуглецевій підкладці від товщини шаруватої плівкової системи евтектичного складу. Уперше показано, що під час плавлення початкових вакуумних конденсатів Sn, Bi та Sn - Bi евтектичного складу, які ростуть на аморфних вуглецевих підкладках за кімнатної температури за механізмом Фольмера - Вебера, формуються острівцеві системи, у яких коефіцієнт заповнення підкладки є немонотонною функцією масової товщини.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В375.14,022
Шифр НБУВ: РА379907 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:
...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського