Роботу присвячено комплексному експериментальному і теоретичному вивченню п'єзоопору у Si та Ge p-типу провідності для розробки на даній основі сенсорів механічних величин. Проведено теоретико-групову класифікацію деформаційних ефектів у алмазоподібних напівпровідниках і встановлено дозволені фізичні моделі п'єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Досліджено п'єзоопір у широкому діапазоні різнополярних деформацій 1,2 %... + 1 % і визначено деформаційні залежності їх констант п'єзо- та еластоопору. Доведено, що у деформованих Si та Ge важкі та легкі дірки характеризуються наборами ефективних мас, які зумовлені енергією та деформацією. Розглянуто взаємозв'язок п'єзоопору та структури у тонких шарах Si та Ge. Істотного покращання характеристик сенсорів досягнуто завдяки використанню лазерно-рекристалізованих КНІ(кремній-на-ізоляторі)-структур.

  Скачати повний текст

В дисертації представлено результати теоретичних досліджень процесу резонансного тунелювання за участю глибоких станів в напівпровідникових структурах і зв'язаних з ним ефектів. Розраховуються і аналізуються енергетичні спектри двобар'єрної тунельно-резонансної структури, асиметричних подвійних квантових ям, надграток з макродефектами за умови, що в потенціальних бар'єрах вказаних структур знаходяться глибоких центри. Показано, що глибокі домішки кардинальним чином змінюють тунельні спектри невпорядкованих надграток різних типів. Пропонуються нові версії квазіперіодичних надграток Фібоначчі, а також ієрархічних НГ і аналізуються їх спектри. Продемонстровано сильний вплив розсіювачів на енергетичні спектри мезокристалів, транспортні властивості L-подібних квантових хвильоводів, тунельні спектри альтернованих надграток різних типів, характеристики контакту метал-напівпровідник. Розглянуто також деякі питання утворення глибоких станів в напівпровідниках.

  Скачати повний текст

Вивчено закономірності впливу структури, електричних параметрів, умов вирощування і зовнішніх факторів (термічний відпал, радіаційне опромінення, легування) на термоелектричні характеристики плівок телуриду свинцю та його аналогів. Встановлено, що дрібнодисперсність, збільшення товщини в межах 0,05-0,5 мкм, ізотермічний відпал у вакуумі приводять до зростання термоелектричної добротності тонкоплівкового матеріалу. Термовідпал плівок n-PbTe у атмосфері кисню та їх радіаційне опромінення за рахунок утворення потенціальних бар'єрів на границях зерен при термодифузії і радіаційно-стимульованих процесах обумовлюють аномально високі значення термо-е.р.с.

  Скачати повний текст

Дисертацію присвячено встановленню динаміки переходу від коливних до хаотизованих станів біполярної стаціонарної і нестаціонарної системи носіїв у напівпровіднику в умовах дрейфової нестійкості. Виявлено і описано нові типи дивних атракторів в стаціонарній та нестаціонарній напівпровідникових системах з двома типами носіїв. Встановлено, що при наявності ефекту Гана системі електронів в h-GaAs властива властива переміжність хаотичних та впорядкованих станів. Запропоновано новий експрес-метод трасирування траекторій для дослідження топології фазових портретів і їх еволюції, який характеризується наочністю та простотою алгоритмічної реалізації, що обумовлює високу швидкість розрахунків, а також створено програмне забезпечення для комплексного дослідження процесів самоорганізації в складних динамічних системах.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджені електрофізичні властивості, структура, елементний та фазовий склад металевих плівок Cr, Ni, Cu, V, Sc в умовах взаємодії з атомами та молекулами залишкової атмосфери або напівпровідникового покриття Ge та Si. Встановлений ефект зменшення температурного коефіцієнта опору та коефіцієнта поздовжньої тензочутливості, що пов'язується зі збільшенням коефіцієнта проходження межі зерна електронами у плівках металів після нанесення покриття та відпалювання.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Розраховано закони дисперсії та хвильові функції, електронні властивості напівпровідникових кристалів. Розроблено комп'ютерні програми розрахунку самоузгоджених енергетичних спектрів напівпровідників з граткою типу алмазу. Вперше побудовано алгоритм тривимірної апроксимації енергетичних спектрів кремнію та германію на ортогональних поліномах Чебишева. На базі розв'язків секулярного рівняння отримано матриці псевдогрінівського оператора, за якими розраховано густини електронних станів. Для прискорення розрахунків резольвенти псевдогрінівського оператора використано тривимірну апроксимаційну схему на ортогональних поліномах Чебишева. Алгоритм і програма розрахунку матриці псевдогрінівського оператора - база для дослідження електронної будови невпорядкованих систем.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Розроблено теорію явищ переносу в анізотропних напівпровідникових кристалах типу p-Ge і детально проаналізовано можливості анізотропних оптикотермоелементів (АОТ), які використовуються для реєстрації променевих потоків різної потужності та непервного контролю за ними. За допомогою методу параметра анізотропії розв'язано кінетичне рівняння для напівпровідників типу p-Ge з урахуванням реальної структури енергетичного спектра та специфіки механізмів розсіяння на іонізованих домішках, акустичних, оптичних фононах і дислокаціях за наявності електричного і магнітного полів та градієнта температури. Одержано аналітичні вирази функції розподілу легких та важких дірок Ge, проведено дослідження температурних і польових залежностей рухливості, коефіцієнта Холла, холл-фактора, диференціальної термоедс, а також впливу ефекту фононного захоплення на величину термоедс. Проведено дослідження поперечної термоедс, ККД і вольт-ватної чутливості АОТ для антипаралельних і паралельних напрямків градієнта температури. Побудовано метод розрахунку двомірного розподілу температури в об'ємі АОТ з врахуванням оптичного поглинання. Досліджено вплив двомірного розподілу температури та термоедс і вольт-ватну чутливість АОТ за відповідних крайових умов для режимів оптичного пропускання, об'ємного та поверхневого поглинань.

  Скачати повний текст

Експериментально вивчено динамічний вплив ультразвуку на електрофізичні та фотоелектричні параметри кремнію та структур на його основі, використання ультразвукових методик для вимірювання параметрів епітаксійних напівпровідникових структур. Виявлено ефект збільшення довжини дифузії неосновних носіїв заряду в бездислокаційному монокристалічному кремнії під дією ультразвуку. Знайдено ефективний об'єм акусто-дефектної взаємодії. Запропоновано модель бістабільного акустоактивного рекомбінаційного центру. Визначено ряд параметрів електронних рівнів, пов'язаних з комплексами точкових дефектів у епітаксійних структурах арсеніду галію. Встановлено, що за допомогою ультразвуку можна збільшити струм короткого замикання сонячного елемента та впливати на інші його характеристики. Показано, що ультразвук може бути ефективним інструментом впливу на процеси фотоелектричного перетворення.

  Скачати повний текст

Досліджено вплив анізотропії фононної та плазмової підсистем на властивості поверхневих фонноних і плазмон-фононних поляритонів у полярних, оптично-анізотропних напівпровідниках ZnO і 6H-SiC і структурах на їх основі. Доведено можливість визначення оптичних та електрофізичних властивостей тонких легованих плівок оксиду цинку на діелектричних і напівпровідникових підкладинках в області "залишкових променів" плівки та підкладинки методами спектроскопії порушеного повного внутрішнього відбивання та ІЧ-відбивання. На базі проведених досліджень розроблено безконтактний спосіб визначення концентрації та рухливості вільних носіїв зарядів у полярних кристалах. Створено оптико-механічний модулятор світлового потоку та неруйнівний спосіб визначення напрямку орієнтації оптичної осі оптично-анізотропних полярних одновісних кристалів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено електричні, фотоелектричні та рентгеноелектричні процеси у анізотипних гетеропереходах сульфід - телурид кадмію, виготовлених методом реакцій твердофазного заміщення. Розглянуто технологічні режими які дозволяють отримувати гетеропереходи з незначною концентрацією дефектів на межі поділу. Проаналізовано зв'язок основних електричних та фотоелектричних характеристик і параметрів гетероструктур за умов їх виготовлення. Виявлено спектральну залежність коефіцієнтів помноження носіїв заряду, що дало змогу встановити домінуючу роль дірок у процесах ударної іонізації. Наведено спектральні та дозиметричні характеристики гетероструктур під час їх опромінення рентгенівськими квантами. Виготовлено лабораторні зразки сонячних елементів, детекторів лазерного випромінювання, оптопар, детекторів рентгенівського випромінювання прямого перетворення та типу "сцинтилятор-фотодіод". Чутливість останніх до рентгенівських квантів у діапазоні 8 - 33 кеВ більш, ніж на два порядки перевищує чутливість існуючих аналогів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Встановлено закономірності електрофізичних та адсорбційних явищ у кристалічних діелектриках і шаруватих структурах, що виникають у процесі поширення поверхневих акустичних хвиль (ПАХ) і розроблено на їх основі ефективні фізичні методи керування характеристиками акустоелектронних пристроїв (АЕП). Одержано нові дані електрофізичних параметрів і акустичних характеристик для хвиль Релея, їх температурні та частотні залежності ряду перспективних діелектриків, що можуть бути використані в акустоелектроніці. Запропоновано новий аналітичний метод аналізу впливу випадкових відхилень топології зустрічно-штирових перетворювачів (ЗШП) на характеристики АЕП на ПАХ. Виведено і досліджено вагову функцію для аподизації ЗШП.

  Скачати повний текст

Досліджено вплив розмірних ефектів, обумовлених наявністю глибоких центрів захоплення, на електрофізичні властивості тонкоплівкових структур на основі арсеніду галію. Наведено числові методи розрахунку низькочастотної ємності тришарової арсенідгалієвої структури тонка плівка - буферний шар - підкладка високочастотної та низькочастотної ємностей прямої гетероструктури з селективним легуванням. Виявлено фізичний механізм появи аномальної ділянки росту на низькочастотній вольт-фарадній залежності таких структур. Розроблено модель захоплення носіїв з плівки на глибокі центри буферного шару та підкладки арсенідгалієвої структури. Запропоновано числовий метод розрахунку домішкової фотопровідності за умов зворотного керування. Розроблено методику та прилад для вольт-фарадної діагностики глибоких центрів у тонкоплівкових структурах.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст