Принцип послаблення кореляції Боголюбова і відповідна ієрархія часів релаксації є основою розвитку формалізмів нерівноважних ансамблів. Досить перспективним є використання підходу, що застосовує максималізацію інформаційно-статистичної ентропії (MaxEnt-NESCOM). В рамках цього формалізму проаналізовано роль та ефективність принципу Боголюбова. Розглянуто випадок сильнозбудженої електронно-діркової плазми полярних напівпровідників. Показано, що можна виділити декілька кінетичних етапів згідно з теорією Боголюбова; їм відповідає послідовне скорочення опису макроскопічних станів.

Представлені результати електричних та фотоелектричних вимірювань двох типів Al/пористий кремній (ПК)/монокристалічний кремній (c-Si)/Al сендвич структур с тонкими та товстими шарами ПК, що одержані хімічним забарвлюючим травленням. Вольт-амперні характеристики та спектри фотовідгуків свідчать про те, що фоточутливість структур з тонкими шарами ПК переважно визначається гетеропереходом (ГП) ПК/c-Si, а з товстими - ПК шарами. Властивості ГП з'ясовані в рамках зонної діаграми ізотипного ГП з протилежними напрямками вигину зон по обидва боки переходу завдяки високій концентрації дефектів на межі розподілу. ПК шари - фоточутливі, з максимумом чутливості біля 400-500 нм. Результати порівнюються з такими для структур на основі шарів ПК, що одержані eлектрохімічним травленням.

A new type of quantum size effect in metal-semiconductor superlattices is predicted. Giant oscillations of the transverse tunnel conductivity arise if size quantization of the electron spectrum in the metal layers takes place. This effect is due to the fact that the probability of metal electron tunneling through a semiconductor layer depends sharply on the electron incidence angle. The oscillations have been found to exist even in disordered systems, provided the electrons in metal layers undergo low-angle scattering on imperfections.

Досліджено вольт-амперну характеристику (ВАХ) у поруватому кремнії (ПК) при поздовжньому та поперечному напрямку прикладеного електричного поля. Одержана варісторна форма ВАХ. Крім практичного застосування вона цікава і тим, що підтвердила існування в ПК зеренної структури, вплив якої дискутується при аналізі механізму видимої люмінесценції поруватого кремнію.

Досліджено вплив багатодолинної структури енергетичних зон напівпровідника на динаміку народження та еволюцію високопольових термодифузійних автосолітонів (АС) у нерівноважній електронно-дірковій плазмі (ЕДП) Ge. Вивчено різні типи АС: статичні, біжучі, пульсуючі, простої та складної форми, поодинокі та множинні, що виникають у зразках з різною кристалографічною орієнтацією. З рівняння балансу енергій визначено параметри плазми в гріючому електричному полі. Одержано добре узгодження експериментально спостережених параметрів АС та критеріїв їх виникнення з передбаченими загальною теорією АС.

Phonon spectra in complicated cylindrical quantum wires of two types are calculated and analyzed by taking into account limit cases. Electron and hole spectra of a quantum wire in the medium are obtained. It is shown that the exact considering of the effective masses of quasiparticles causes the essential narrowing of the region of quasimomenta where the stationary states confined in the radial direction exist.

Експериментально досліджено вольт-амперні та ампер-барні залежності струму в одновісно деформованому дірковому германії при схрещених напрямках тиску і електричного поля при температурі 77 К. У потужних електричних полях виявлено особливості у поведінці струму при збільшенні величини тиску. На ампер-барних залежностях вони проявляються у вигляді максимуму струму для тиску 4,5 кбар. Отримані результати якісно пояснюються як наслідок перекидання дірок у валентну підзону з меншою поперечною ефективною масою за допомогою резонансних домішкових рівнів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.271

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено коефіцієнти відбиття від поверхні монокристалів ZnO в ІЧ-області спектра з урахуванням коливань трьох попарно зв'язаних підсистем: електромагнітних хвиль, оптичних коливань гратки та плазмових коливань вільних носіїв зарядів. Показано, що значна анізотропія фононів та незначна анізотропія плазмонів призводять до прояву ряду особливостей у спектрі зв'язаних коливань і в областях прозорості. У випадку THETA != 0,pi / 2 у спектрах відбиття спостережено чотири області повного відбиття та чотири мінімуми. Визначено умови, за яких можливе експериментальне дослідження областей прозорості.

Проведено теоретичні дослідження трансформації станів нерівноважної системи біполярних носіїв в залежності від величини керуючого параметра в рамках одновимірної польової моделі ефекту Ганна. Розраховано біфуркаційну діаграму та максимальний показник Ляпунова. Показано, що еволюція системи від коливального стану до хаотичного на початковому етапі відбувається шляхом біфуркацій подвоєння періоду.

Теоретично досліджено закономірності ефекту екстракції фотоносіїв у варизонних напівпровідникових шарах із постійним градієнтом ширини забороненої зони й омічними контактами за умов однорідного та локального фотозбудження. Детально проаналізовано просторові розподіли концентрації фотоносіїв, а також польові залежності ефективного часу життя нерівноважних носіїв заряду та фотоструму. Показано, коли напрям зовнішнього поля є протилежним до внутрішнього квазіелектричного, на польових залежностях фотоструму може реалізуватись ділянка від'ємної диференціальної фотопровідності, а максимальний фотострум може суттєво перевищувати фотострум насичення однорідних зразків.

Експериментально виявлено ефект появи електрорушійної сили на контактах зразків мікропоруватого кремнію з характерною неоднорідністю параметрів вздовж поверхні матеріалу після адсорбції аміаку та під дією освітлення. Обгрунтовано фізичний механізм явища.

За допомогою мас-спектрометричної методики доведено, що випаровування кристалів GaAs суттєво залежить від стану їх електронної підсистеми. Отримані результати дозволяють вважати, що шляхом зовнішньої дії на електронну підсистему кристала GaAs, зокрема шляхом пропускання крізь кристал струму, можна керувати випаровуванням компонент і, відповідно, його складом, електрофізичними властивостями.

Показано, що у вузькозонних напівпровідникових кристалах прикладання одновісного тиску призводить до збільшення часу життя відносно процесу оже-рекомбінації та зменшення часу життя носіїв струму відносно випромінювального зона-зонного переходу. На основі досліджуваного ефекту можна радикально змінити рекомбінаційні параметри та підвищити квантовий вихід випромінювання ряду матеріалів напівпровідникової електроніки.

У межах простої осциляторної моделі розглянуто можливість збудження поверхневих електромагнітних хвиль у системі напівпровідник - адсорбований молекулярний шар. Досліджено дисперсійні властивості таких хвиль за умови врахування дисипативних процесів у системі. Вивчено вплив величини латеральної взаємодії на характеристики кривих дисперсії. Проаналізовано вплив ступеня легування напівпровідникової підкладки на дисперсію поверхневих хвиль.

Побудовано теорію розмірного квантування носіїв заряду в малому напівпровідниковому мікрокристалі за умов, коли поляризаційна взаємодія відіграє домінуючу роль. Досліджено спектр носіїв заряду в мікрокристалі та його залежність від радіуса мікрокристала, ефективної маси носіїв заряду, відносної діелектричної проникності. Показано, що виникнення об'ємних локальних станів залежно від розміру мікрокристала має пороговий характер.

За допомогою комп'ютерного моделювання детально досліджено динаміку змін характеру траєкторій, величин пробігів і втрат енергії канальованих іонів у залежності від ступеня віддалення прицільних точок від осі каналу в напрямку атомів, що утворюють стінки каналу, роду іонів, кута між віссю і напрямком руху іонів, початковою енергією, виду потенціалу взаємодії і температури кристала. Встановлено, що у випадку не занадто важких іонів для параксіальної частини пучка навіть в області низьких енергій основний внесок у загальні витрати дають непружні втрати енергії. Розроблено просту модель розрахунку на ЕОМ профілів розподілу відносно важких іонів і низьких енергій, прониклих у монокристали в умовах каналювання.

Current-voltage characteristics (CVC) of NbN - isolator - Pb tunnel junctions with high-transparent tunnel barriers are studied experimentally. To calculate CVC of superconducting tunnel junctions with a high transparency of tunnel barriers, it's necessary to take into account the processes of Andreev reflection and transmission of quasiparticles in these junctions.

Викладено основні закономірності домішкової фотопровідності та термостимульованої релаксації електропровідності. Висвітлено основні типи та механізми рекомбінації нерівноважних носіїв заряду в напівпровідниках. Розглянуто питання впливу поверхневої рекомбінації на об'ємні властивості напівпровідників, зокрема на розподіл не основних носіїв заряду, ефективний час життя, спектральні залежності фоточутливості та фотопровідності.

Стисло викладено фізичні основи взаємодії електромагнітного випромінювання з речовиною напівпровідника. Розглянуто головні механізми поглинання світла в напівпровідниках, процеси фотоіонізації та взаємодії фотозбуджених носіїв заряду з кристалічною граткою кристала, що визначають основні параметри фоточутливих матеріалів і приладів, виготовлених на їх основі.