Проведено дослідження акустичної емісії (АЕ) в напівпровідникових світовипромінювальних структурах на основі сполук GaP, GaAs та GaN за умов протікання постійного прямого електричного струму. Вивчено акустичний відгук у монокристалах GaAs та CdTe у разі дії на їх поверхню наносекундного імпульсного лазерного випромінювання. Розвинуто перспективний напрямок фізики твердого тіла, пов'язаний з використанням явища АЕ як цілеспрямованого неруйнівного тонкого методу вивчення динаміки дефектоутворення напівпровідникових структур в режимі реального часу. Вперше виявлено, що зміни в спектрі електролюмінесценції, які традиційно пов'язуються зі зміною стану точкових дефектів, корелюють з виникненням АЕ, обумовленої процесом перебудови структури матеріалу в локальних об'ємах. Встановлено межу плавлення грані (III) сполук GaAs та CdTe під час наносекундного лазерного опромінення за показником зміни амплітуди акустичного відгуку.

  Скачати повний текст

Досліджено фізичні процеси, що відбуваються у багатофункціональних електрохемілюмінесцентних елементах (ЕХЛ), призначених для хімічного аналізу та генерації когерентного та некогерентного оптичного випромінювання, з робочими електродами, модифікованими штучно організованими молекулярними плівками, одержаними за методом Ленгмюра - Блоджетт (ЛБ), з вбудованими молекулами органічних люмінофорів. Проаналізовано фізичні процеси, що відбуваються в ЕХЛ з модифікованим робочим електродом. З використанням розроблених математичних моделей проведено розрахунки основних фізичних процесів, що впливають на роботу ЕХЛ-елемента з модифікованим робочим електродом, який може бути застосований як джерело некогерентного оптичного випромінювання або як сенсор на окремі хімічні сполуки. Розроблено багатошарову структуру робочого електрода ЕХЛ-елемента, що має хвилеводні властивості та може застосуватись для генерації когерентного оптичного випромінювання. Проведено теоретичне дослідження параметрів і умов генерації. Досліджено електрохімічні та ЕХЛ-властивості елементів з електродами, модифікованими мультишаровими впорядкованими плівками ЛБ органічних люмінофорів.

  Скачати повний текст

Досліджено спектри електронів, дірок, екситонів і фононів у простих і складних сферичних квантових точках, а також електрон- і екситон-фононній взаємодії у зазначених наносистемах. Розвинуто теорію та виконано розрахунки спектрів і хвильових функцій квазічастинок у багатошарових сферичних квантових точках і сферичних періодичних наноструктурах. Висвітлено особливості локалізації квазічастинок у них. На підставі прикладу циліндричної квантової точки зі скінченною висотою потенціального бар'єра на межі поділу середовищ запропоновано метод наближеного розрахунку спектрів електронів і дірок у квантових точках несферичної симетрії. Розраховано зонні характеристики для надгратки сферичних квантових точок. У рамках моделі діелектричного континууму розвинуто теорію та розраховано енергії обмежених і інтерфейсних фононів у складних сферичних квантових точках. На основі методу функцій Гріна розраховано перенормування енергій основних етапів електрона та дірки взаємодією з фононами з повним врахуванням конфігураційної взаємодії. Розвинуто теорію квазістаціонарних резонансних станів електронів і дірок у "відкритих" сферичних та циліндричних наносистемах. Розраховано залежності часів життя квазістаціонарних резонансних станів від розмірів квантових ям, ширини потенціальних бар'єрів та величини поздовжнього квазіімпульсу для "відкритих" квантових дротів.

  Скачати повний текст

На підставі спектрально-кінетичних досліджень люмінесценції чистих та активованих галоїдних сполук визначено ряд особливостей процесів релаксації високоенергетичного збудження за участю остовних дірок. Виявлено взаємодію остовних дірок з поверхневими дефектами та електронними домішковими станами, розташованими вище вершини валентної зони кристала.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено механізми перенесення заряду під час переходу метал-неметал в іонно-електронних розплавах з домішками перехідних металів. У даних розчинах механізм розсіювання електронів змінюється від слабкого до сильного. В широкому інтервалі температур і тисків проведено експериментальні дослідження електропровідності і термоелектрорушійної сили. Запропоновано фізичні моделі, які дозволяють пояснити електронну структуру, електрофізичні та структурно-чутливі властивості під час переходу метал - неметал в іонно-електронних розплавах, а також механізми розсіювання електронів в системах з різним типом взаємодії. Вивчено та рекомендовано до використання як припоїв сплави на основі олова, які, на відміну від сплавів на основі свинцю, є екологічно безпечними.

  Скачати повний текст

Встановлено, що фізичні властивості CdTe:Cl визначено перебудовою системи точкових дефектів телуриду кадмію внаслідок легування й існування неоднорідностей, пов'язаних з нерівномірним розподілом легувальної домішки в об'ємі кристалів. Виявлено, що за перевищення критичного рівня легування відбувається утворення збагачених хлором включень і супутніх макродефектів структури, розсіяння на яких є причиною зниження величини оптичного пропускання в області прозорості CdTe. Встановлено, що спектральний хід коефіцієнта поглинання в області довгохвильового краю власного поглинання у сильнолегованих кристалах відтворює хвости густини станів, причиною існування яких є флуктації домішкового потенціалу через локальні неоднорідності в розподілі легувальної домішки. Визначено, що короткотривалий низькотемпературний відпал підвищує однорідність сильнолегованого матеріалу.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено вплив розмірних ефектів, обумовлених наявністю глибоких центрів захоплення, на електрофізичні властивості тонкоплівкових структур на основі арсеніду галію. Наведено числові методи розрахунку низькочастотної ємності тришарової арсенідгалієвої структури тонка плівка - буферний шар - підкладка високочастотної та низькочастотної ємностей прямої гетероструктури з селективним легуванням. Виявлено фізичний механізм появи аномальної ділянки росту на низькочастотній вольт-фарадній залежності таких структур. Розроблено модель захоплення носіїв з плівки на глибокі центри буферного шару та підкладки арсенідгалієвої структури. Запропоновано числовий метод розрахунку домішкової фотопровідності за умов зворотного керування. Розроблено методику та прилад для вольт-фарадної діагностики глибоких центрів у тонкоплівкових структурах.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

На підставі результатів експериментальних досліждень вивчено фотоелектричні явища у монокристалічному кремнії та низькорозмірних структурах на його основі, зумовлених процесами виникнення, перебудови та зникнення точкових дефектів під дією ультразвуку. Показано, що ефект ультразвукового відпалу E-центрів можна використати для відновлення робочих характеристик детекторів ядерних частинок, спотворених дією радіації. Продемонстровано, що результатом обробки ультразвуком монокристалічного кремнію може бути очищення об'єму кристалу від небажаних домішок Na і K та зменшення неоднорідності у розподілі електрично-активних радіаційних дефектів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Дисертацію присвячено встановленню динаміки переходу від коливних до хаотизованих станів біполярної стаціонарної і нестаціонарної системи носіїв у напівпровіднику в умовах дрейфової нестійкості. Виявлено і описано нові типи дивних атракторів в стаціонарній та нестаціонарній напівпровідникових системах з двома типами носіїв. Встановлено, що при наявності ефекту Гана системі електронів в h-GaAs властива властива переміжність хаотичних та впорядкованих станів. Запропоновано новий експрес-метод трасирування траекторій для дослідження топології фазових портретів і їх еволюції, який характеризується наочністю та простотою алгоритмічної реалізації, що обумовлює високу швидкість розрахунків, а також створено програмне забезпечення для комплексного дослідження процесів самоорганізації в складних динамічних системах.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Експериментально вивчено динамічний вплив ультразвуку на електрофізичні та фотоелектричні параметри кремнію та структур на його основі, використання ультразвукових методик для вимірювання параметрів епітаксійних напівпровідникових структур. Виявлено ефект збільшення довжини дифузії неосновних носіїв заряду в бездислокаційному монокристалічному кремнії під дією ультразвуку. Знайдено ефективний об'єм акусто-дефектної взаємодії. Запропоновано модель бістабільного акустоактивного рекомбінаційного центру. Визначено ряд параметрів електронних рівнів, пов'язаних з комплексами точкових дефектів у епітаксійних структурах арсеніду галію. Встановлено, що за допомогою ультразвуку можна збільшити струм короткого замикання сонячного елемента та впливати на інші його характеристики. Показано, що ультразвук може бути ефективним інструментом впливу на процеси фотоелектричного перетворення.

  Скачати повний текст

Експериментально досліджено вплив багатопідграткової магнітної структури на механізми формування фонноних і магнонних збуджень кристалів у далекій інфрачервоній області спектра

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст