Досліджено коефіцієнти відбиття від поверхні монокристалів ZnO в ІЧ-області спектра з урахуванням коливань трьох попарно зв'язаних підсистем: електромагнітних хвиль, оптичних коливань гратки та плазмових коливань вільних носіїв зарядів. Показано, що значна анізотропія фононів та незначна анізотропія плазмонів призводять до прояву ряду особливостей у спектрі зв'язаних коливань і в областях прозорості. У випадку THETA != 0,pi / 2 у спектрах відбиття спостережено чотири області повного відбиття та чотири мінімуми. Визначено умови, за яких можливе експериментальне дослідження областей прозорості.

Викладено основні закономірності домішкової фотопровідності та термостимульованої релаксації електропровідності. Висвітлено основні типи та механізми рекомбінації нерівноважних носіїв заряду в напівпровідниках. Розглянуто питання впливу поверхневої рекомбінації на об'ємні властивості напівпровідників, зокрема на розподіл не основних носіїв заряду, ефективний час життя, спектральні залежності фоточутливості та фотопровідності.

Стисло викладено фізичні основи взаємодії електромагнітного випромінювання з речовиною напівпровідника. Розглянуто головні механізми поглинання світла в напівпровідниках, процеси фотоіонізації та взаємодії фотозбуджених носіїв заряду з кристалічною граткою кристала, що визначають основні параметри фоточутливих матеріалів і приладів, виготовлених на їх основі.

Представлены результаты исследования спектров фототока и закономерностей прохождения темнового тока в поверхностно-барьерных структурах вырожденный полупроводник-селенид кадмия. Применение "сверхтонких" слоев вырожденного сульфида меди, а также промежуточных, встроенных в область пространственного заряда варизонных прослоек позволяет повысить фототоковую и фотовольтовую чувствительность преобразователей. Указанное улучшение свойств известных поверхностно-барьерных структур является результатом использования фотоэффекта горячих носителей и оптимального распределения электрического и квазиэлектрического полей в приповерхностной области фоточувствительной составляющей преобразователя.

Висвітлюються основні характеристики стаціонарної фотопровідності напівпровідників, зроблено визначення параметрів напівпровідникових матеріалів при лінійній рекомбінації. Розглядається фотомагнітоелектрорушійна сила у напівпровідниках, простежується залежність фотомагнітного ефекту від зовнішніх факторів, параметрів матеріалу та розмірів зразка. Особливу увагу приділено фізичним основам напівпровідникових фотогальванічних елементів і квантових генераторів, а також фотоструктурним перетворенням в некристалічних халькогенідах, зокрема, структурним особливостям аморфних халькогенідів та фотоіндукованим змінам оптичних параметрів тонких шарів некристалічних халькогенідів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: гетерофотоелемент, комплексне легування, гетероструктура, рекомб?нац?йн? центри
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 + В379.271.4

Рубрики:

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано тривимірну модель фотоперетворення в полікристалічному кремнії, яка враховує рекомбінацію в об'ємі зерна та на його межах. Розгляд проведено для зерен у формі паралелепіпеда та циліндра. Одержано узгодження між теоретичними й експериментальними залежностями струму короткого замикання, напруги розімкненого кола та коефіцієнта корисної дії фотоперетворення в полікристалічному кремнії від розміру зерен. Проаналізовано особливості фотоперетворення в мульти- та мікрокристалічному кремнії.

Запропоновано тривимірну модель фотоперетворення в полікристалічному кремнії, що враховує рекомбінацію в об'ємі зерна та на його межах. Розгляд проведено для зерна у формі паралелепіпеда. Для випадку монохроматичного освітлення отримано спектральні залежності струму короткого замикання та напруги розімкненого кола, усереднені по площі зерна. Показано, що основний вплив рекомбінації на межах зерна можна описати через ефективну довжину дифузії, яка має фізичний зміст характерної довжини затухання надлишкової концентрації електронно-діркових пар у напрямку, паралельному освітленню. Отримано й обговорено її залежності від об'ємної довжини дифузії, розмірів зерна та від величини ефективної швидкості рекомбінації на межах зерна. Одержано теоретичні співвідношення для струму короткого замикання за умов АМО, усереднені по площі полікристалічного сонячного елемента (СЕ). Встановлено критерії, за яких струм короткого замикання в полікристалічному СЕ практично дорівнює струмові короткого замикання в монокристалічному кремнії.

Вивчено фотоелектрохімічні процеси на GaAs та InP, поверхню яких модифіковано наночастинками CdS. Показано, що фоточутливість GaAs і InP після модифікування їх поверхні наночастинками CdS збільшується зі зменшенням внеску катодного фотоструму відновлення полісульфідів і зниженням рекомбінаційних втрат на поверхні, в результаті чого в полісульфідному розчині одержано значення 23 % ККД перетворення енергії сонячного світла в електричну енергію.

Наведено результати досліджень фототермоакустичного (ФТА) ефекту в іонолегованих структурах на основі Si. З'ясовано фактори, що впливають на процес ФТА-перетворення та відповідно на формування контрасту зображень в дослідженнях з ФТА-мікроскопії цих структур. Установлено, що суттєві зміни ФТА-контрасту пов'язані з просторовим розподілом напружень, що виникли під час імплантації.

За допомогою аналізу спектральних залежностей коефіцієнта квантової ефективності вперше досліджено особливості фотоелектричних процесів у плівкових гетеросистемах CdS/CdTe/ITO з двобічною фоточутливістю. Запропоновано фізичні механізми, що описують спостережувані експериментальні закономірності.

Індекс рубрикатора НБУВ: В344.333 + В379.271.4

Рубрики:

Спектри поглинання (абсорбційні спектри)

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.271.4

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.271.4

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + В379.271.4

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ