Показана можливість одержання в умовах мікрогравітації методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки досконалих напівпровідникових монокристалів, а також вивчення ряду фундаментальних проблем фізики кристалізації.

Рассмотрен алгоритм расчета оптических и терморадиационных характеристик ультрадисперсных селективных покрытий согласно теории эффективной среды оптических свойств тонких пленок.

Досліджено вплив термічної обробки на електрофізичні та механічні властивості кремнієвих пластин. Наведено результати термообробок, запропоновано режим обробки, який покращує службові характеристики пластин кремнію, що застосовуються у виробництві напівпровідникових приладів.

Наведено результати вивчення кількісних характеристик, що дозволяють описати поширювання плоскої електромагнітної хвилі на поверхні плівки, зробленої з високотемпературного надпровідника. Глибину проникання магнітного поля та поверхневий імпеданс викорастано в якості даних характеристик.

Побудовано енергетичні діаграми нових наноструктурних матеріалів - допованих іонами срібла наночастинок CdS, інкорпорованих у силікатні матриці. Показано вплив кількості введеного срібла на ефективність фотокаталітичного виділення водню з водних сульфід-сульфітних розчинів та встановлено взаємозв'язок між фотокаталітичною активністю досліджених матеріалів та їх енергетичними характеристиками.

Рассмотрена физическая модель для расчета полескоростной характеристики основных полупроводниковых материалов (Si, Ge, GaAs), основанная на уравнениях сохранения импульса и энергии, расчете времен релаксации импульса. Показано влияние на степень насыщения упругости рассеяния на оптических фононах.

Предложен и проанализирован комплексный метод вычисления оптических потерь в тонкопленочных солнечных элементах, включающий: определение оптических констант тонких металлических пленок и (или) пленок прозрачных проводящих окислов на спутниковых прозрачных подложках в режимах обычной отражательной многоугловой эллипсометрии и эллипсометрии с возбуждением поверхностных плазменных поляритонов, измерение относительных спектров отражения света для тех же пленок на полупроводниковой подложке, расчет спектров пропускания света в фотоактивную область тонкопленочного элемента с плоскими или микрорельефными границами раздела со специальным видом микрорельефа.

Проведена оптимизация расчета сигнала отклика сенсорной емкостной структуры типа электролит - диэлектрик - полупроводник (ЭДП) с ионочувствительным слоем нитрида кремния, работающей по принципу измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик такой структуры. Проанализированы физические ограничения, возникающие при построении интегральных сенсорных ЭДП-массивов на основе единой кремниевой подложки. Показано, что оптимальный выбор как конструктивных, так и электрических параметров сенсорного массива позволяет получить независимые выходные сигналы для всех сенсорных каналов массива, обеспечивая его корректную работу.

Описано применение пористого кремния (ПК) в различных областях полупроводниковой микроэлектроники. Рассмотрено использование ПК для создания фильтров и газовых сенсоров, для формирования высокопроводящих слоев, контактов и соединительных элементов ИС, резисторов, фотоэлектродов, волноводов, тонких пленок нитрида, оксида или карбида кремния, а также для формирования светоизлучающих структур, антиотражающих покрытий, фотоприемников и солнечных элементов, преобразователей излучения. Проанализированы механизмы электролюминесценции и проблемы, стоящие перед разработчиками оптоэлектронных приборов и возможные пути их решения.

Уперше методом імпульсного електролітичного осаджування з одного електроліту на підкладках арсеніду галію одержано ультратонкі багатошарові Co/Cu- та CoNi/Cu-плівки з кількістю періодів 5 і 3, оптично прозорі у видимій області спектра, що виявляють властивості справді мультишарової структури - ефект гігантського ізотропного магнітоопору.

На прикладі титанатів рідкісноземельних елементів з перовскітною структурою встановлено закономірності впливу гетеровалентних заміщень у катіонних підгратках, які дозволяють у межах одного структурного типу керувати в широких межах електрофізичними властивостями - від НВЧ-діелектриків до катіонних провідників і напівпровідників.

Висвітлено питання синтезу та вирощування халькогенідних напівпровідникових матеріалів систем Sn(Pb) - P - S(Se), As - S, As - Se, Ge - As - S, Ge - As - Se, As - S - Se. Наведено результати експериментальних досліджень основних параметрів і характеристик, що визначають перспективи створення активних середовищ з використанням досліджуваних сполук, описано методи їх оптимізації.

Викладено фізико-хімічні основи матеріалознавства основних кристалічних неорганічних речовин, які найбільше використовуються в електронній техніці. Розглянуто основні термодинамічні співвідношення, необхідні для вивчення властивостей розчинів та процесів фазових переходів у одно- і двокомпонентних системах, а також послідовно описано діаграми фазових рівноваг подібних систем.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312-06

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Изучены изменения спектров краевой фотолюминесценции (ФЛ) полуизолирующих нелегированных кристаллов GaAs, вызванные их термообработкой при 900 °C в течение 20 - 90 мин. Показано, что указанное термическое воздействие существенно видоизменяет (преобразует) краевой спектр ФЛ исходных кристаллов. Отмеченные явления связаны со стимулированными термообработкой изменениями в примесном составе излучаемых кристаллов.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + З843.312

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж16683 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.32

Рубрики:

Селен, телур, сірка та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ