Висвітлено питання синтезу та вирощування халькогенідних напівпровідникових матеріалів систем Sn(Pb) - P - S(Se), As - S, As - Se, Ge - As - S, Ge - As - Se, As - S - Se. Наведено результати експериментальних досліджень основних параметрів і характеристик, що визначають перспективи створення активних середовищ з використанням досліджуваних сполук, описано методи їх оптимізації.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324 + В343.31 + В379.24

Рубрики:

Халькогеніди

Виборче (селективне) поглинання

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: ВА588107 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Освещены проблемы физико-химической и технологической совместимости полупроводниковых пленок в многослойных структурах с сегнетоэлектриками, а также особенности механизма кристаллизации пленок, конденсированных из высокотемпературной плазмы. Описаны свойства слоев CdSe, активированных в процессе их изготовления методом ВЧ-распыления. Проанализировано влияние кислорода на процесс сенсибилизации слоев CdS.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрен вопрос замены халькогенидов кадмия в структурах солнечных элементов. Исследован процесс эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe. Показано, что этот процесс сопровождается реакционным взаимодействием компонент, последующей диффузией атомов галлия подложки к поверхности и формирующимися связями Ga-Se относительно объемной Ga-Te- и эпитаксионной Cd-Se-составляющих фотоэлектронного спектра.

The processes of CdSe epitaxy on GaTe layered substrate have been analyzed using by X-ray photoelectron spectroscopy (XPES). It was shown that epitaxy is accompanied by reactionary interaction of components followed by a diffusion of gallium atoms to the surface as well as forming Ga-Se bonds in respect to Ga-Te and Cd-Se components of XPES.

Рассмотрены математические модели кинетики деградации в твердых телах, обладающих нано- и микроразмерным топологическим разупорядочением, в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, а также в объемных керамических и толстопленочных композитах на основе смешанных манганитов переходных металлов.

The mathematical models of degradation in solids with nano- and microscale topological disordering - chalcogenide vitreous semiconductors as well as bulk and thick-film ceramic composites based on mixed transition-metal manganites are considered.

Індекс рубрикатора НБУВ: В37,021 + З843.324,021

Рубрики:

Фізика твердого тіла. Кристалографія

Халькогеніди

Шифр НБУВ: В348110 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: халькогенідні напівпровідникові сполуки As2S3 і As2Sе3, синтез, поглинання світла
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324-01

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: подвижность носителей заряда, электропроводность, коэффициент Холла, твердые растворы, температурная зависимость, концентрационная зависимость, фазовый переход, кристаллиты, границы зерен.
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324 + В379.2

Рубрики:

Халькогеніди

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: information pits, optical disks, inorganic resist, selective etching
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж16550 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены физические процессы и свойства, которые служат основой многочисленных практических применений халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП): фотостимулированные изменения в слоях ХСП, которые имеют сложную природу, включают в себя различные эффекты, такие, как фотопотемнение (красный сдвиг края поглощения), фотоиндуцированная анизотропия, фотостимулированное изменение растворимости, фотокристаллизация, фототекучесть и др. Комплексную природу имеет также фотостимулированное взаимодействие в системах ХСП - металл (фотодиффузия металлов) - одновременное протекание целого ряда физических и химических процессов (контактные и поверхностные, диффузионные, фотостимулированные изменения в ХСП, взаимодействие компонент на границах раздела ХСП - металл и продукты фотостимулированного взаимодействия - ХСП). Рассмотрены разнообразные практические применения ХСП в микро- и наноэлектронике, оптической памяти (запись, хранение и передача информации), голографии, дифракционной оптике и др.

Досліджено процеси вирощування твердих розчинів халькогенідів Bi і Sb за допомогою методу зонної перекристалізації. Встановлено кореляційні залежності між параметрами процесів вирощування та структурно-фізичними властивостями одержаного матеріалу. На підставі проведених досліджень розроблено рекомендації щодо вирощування злитків напівпровідників з використанням наведеного методу.

На підставі аналізу впливу ізовалентних домішок на фізичні властивості халькогенідів свинцю розглянуто можливості практичного використання таких матеріалів у напівпровідниковій електроніці.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено вирази для термодинамічних параметрів пари газодинамічного потоку при лінійному градієнті температури вздовж циліндричного каналу. Розраховано залежність числа Маха, коефіцієнта і результуючої швидкості конденсації, густини потоку пари, ступеня пересичення та критичного перерізу пари халькогенідів кадмію від температури випаровування матеріалу, градієнта температури вздовж стінок камери та безрозмірної координати для одержання найбільш досконалої структури.

Обсуждены оптоэлектронные свойства и возможности практического применения в сенсорах диффузионных слоев, полученных равновесным отжигом монокристаллических подложек халькогенидов кадмия и цинка в парах элементов I - VI групп таблицы Менделеева.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324-01

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ