Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42 в641

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42 + В381.592

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г582 + В379.271.42

Рубрики:

Поверхневі шари та їх властивості

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Покращений теоретичний метод опису вібраційної структури фотоелектронних спектрів молекул, який базується на методі функцій Гріна та теорії функціонала густини, включаючи синергетичні поправки, застосовано до кількісного опису фотоелектронних спектрів молекул CH, HF.

У плівках полі-N-епоксіпропілкарбазолу, допованих внутрішньоіонними та катіонними барвниками, досліджено особливості утворення та релаксації метастабільних зв'язаних станів катіон-радикала карбазолу і негативно зарядженого фрагмента молекули барвника.Під час опромінення світлом з області поглинання барвника в плівках з внутрішньоіонним барвником ці стани руйнуються, а в плівках з катіонним барвником такі стани світлом не руйнуються. Ці особливості пов'язуються з особливостями будови барвників.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.271.42 + К232.504.3

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Структурні та фазова перетворення у цинку та його сплавах

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42 + В379.24

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

У двовимірних структурах макропористого кремнію виміряно ефективну провідність та фотопровідність, а також розраховано залежність цих величин від концентрації та діаметра макропор. Встановлено, що за збільшення концентрації та об'ємної частки пор ефективна провідність структур макропористого кремнію зменшується. Виявлено розмірний ефект: суттєве зменшення товщини області просторового заряду у разі зменшення діаметра макропор (поверхневого заряду). Ефективна відносна фотопровідність визначається рекомбінацією та накопиченням заряду на поверхні пор. Для досліджених структур теоретичні залежності відносної фотопровідності відповідають значенню швидкості поверхневої рекомбінації 90 см/с.

Проаналізовано основні механізми формування оберненого струму в поверхнево-бар'єрних діодах на основі підкладинок n-CdTe. Встановлено, що експериментальні вольтамперні характеристики за низьких обернених напруг визначаються тунельними процесами, а за великих - помноженням носіїв у результаті ударної іонізації.

It is shown that the action of magnetic fields (MF) of different nature (constant and variable MF and a microwave superhigh-frequency field) changes the relaxation kinetics of photoconductivity (PC) in silicon crystals. For an explanation of the obtained results, the mechanism, according to which differences in the relaxation times of PC are related to structural changes in the surface layer of Si that are stimulated by the magnetic influence, is offered.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022 + В371.230,022 + В379.271.42,022

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: РА388167 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто вплив домішок кобальту на спектри оптичного поглинання та фотопровідності кристалів селеніду цинку. На підставі результатів оптичних та електрофізичних досліджень представлено схему електронних переходів у досліджуваних кристалах.

Interband optical transitions in the epitaxial Si/Ge heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100) surface were investigated using photocurrent spectroscopy. The mechanism of photoconductivity was discussed. It was shown that electron transitions from the ground state of the valence band in a quantum dot to the conduction band of Si surrounding make the main contribution into monopolar photoconductivity below the fundamental absorption edge of crystalline Si. Photoexcited holes were found to be localized in Ge nanoislands inducing the lateral conductivity changes in the near-surface depletion layer of p-Si substrate due to the field-effect.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только положительная ФП. Объясняется это компенсацией положительным "встроенным" зарядом оксида отрицательного заряда "медленных" поверхностных уровней, расположенных на поверхности макропористого кремния.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ