Шорсткі поверхні GaAs різної морфології, отримані хімічно-механічною поліровкою та анізотропним травленням, розгянуто як геометрично невпорядковані системи з керованим ступенем невпорядкованості. Для їх дослідження та кількісного статистичного опису використано мікроскопію атомних сил і профілометрію. Вплив геометричної невпорядкованості на розсіяння електромагнітних хвиль досліджено в широкому спектральному діапазоні від Х-променів до інфрачервоного світла. Вдосконалення кристалічної структури анізотропно травленого підповерхневого шару підтверджено результатами експериментів з ослабленого повного внутрішнього відбивання (ОПВВ) і комбінаційного розсіяння світла. Незвичайно посилені смуги поверхневих поляритонів для поверхні дендритної морфології спостережено у спектрах ОПВВ і комбінаційного розсіяння.

Наведено результати оригінальних теоретичних досліджень дисперсійних та поляризаційних властивостей поверхневих магнітоплазмових хвиль у напівпровідникових структурах, одержані за останні роки в ІРЕ НАН України. Передбачено та вивчено властивості нових типів лінійних та нелінійних поверхневих магнітоплазмових хвиль. Обговорено можливості експериментального дослідження цих хвиль та показано область їх практичного застосування.

Получены компактные инвариантные соотношения рекуррентного типа для последовательного расчета диады импеданса параллельных слоев из одноосного однородного магнитодиэлектрика. Предложенные формулы, образующие основу быстродействующего алгоритма для расчетов на ЭВМ, проиллюстрированы путем расчета коэффициентов отражения плоской волны от плавнонеоднородной анизотропной пластины.

Наведено результати досліджень переносу електронів і дірок біля поверхні напівпровідників - як ефектів, зумовлених рухом і розсіюванням поверхневих носіїв заряду одного знака, так і ефектів, до яких приводить одночасне існування поблизу поверхні електронів і дірок (нерівноважної електронно-діркової плазми). Розглянуто випадки власної плазми напівпровідників та електричної і світлової інжекції електронів і дірок. Концентрація плазми змінювалась у широких межах - від гранично малої до такої, що забезпечує формування електронно-діркової рідини. Поряд з традиційними для цієї області електрофізичними методами використано оптичні методи (фотолюмінесценцію (ФЛ), оптичне підсилення тощо).

Викладено ключові результати досліджень у галузі математичного моделювання фізико-хімічних процесів в гетерогенній системі напівпровідник - газове середовище в умовах термодинамічної рівноваги та близьких до них.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто уявлення щодо природи електронних станів на ідеальній, атомарно чистій та реальній поверхнях напівпровідників, описано методи їх виготовлення. Описано типи поверхонь, наведено характеристику реальної поверхні. Розглянуто питання теорії області просторового заряду, а також залежність електростатичного потенціалу від координат. Охарактеризовано процеси поверхневої рекомбінації нерівноважних носіїв заряду, запропоновано класифікацію поверхневих локальних центрів.

Розглянуто природу електронних процесів на поверхні твердих тіл. Встановлено залежність поверхневої рекомбінації від поверхневого потенціалу. Проаналізовано вплив поверхневих станів на ефекти, пов'язані з носіями заряду в приповерхневій області напівпровідника. Описано методи захисту поверхні напівпровідників. Висвітлено проблеми та завдання фізики та технології поверхні в мікроелектроніці.

Рассмотрена природа электронных процессов на поверхности твердых тел. Установлена зависимость поверхностной рекомбинации от поверхностного потенциала. Проанализировано влияние поверхностных состояний на эффекты, связанные с носителями заряда в приповерхностной области полупроводника. Описаны методы защиты поверхности полупроводников. Освещены проблемы и задачи физики и технологии поверхности в микроэлектронике.

Ключ. слова: plasma etching, ellipsometry, chemical composition
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано взаємозв'язок структурних і магнітних властивостей епітаксійних плівок залізо-ітрієвого гранату та способи їх цілеспрямованої модифікації. Визначено вплив режимів імплантації іонами різного типу та післяімплантаційного відпалу у різних атмосферах на процеси радіаційного дефектоутворення та ступінь структурного та магнітного розупорядкування. Здійснено моделювання профілів концентрації імплантованих іонів, деформації кристалічної гратки, електронної та магнітної мікро- та макроструктур поверхневих шарів досліджуваних матеріалів.

Проанализирована взаимосвязь структурных и магнитных свойств эпитаксионных пленок железо-иттриевого граната и способы их целенаправленной модификации. Определено влияние режимов имплантации ионами разного типа и послеимплантационного отжига в разных атмосферах на процессы радиационного дефектообразования и степень структурного и магнитного разупорядочения. Осуществлено моделирование профилей концентрации имплантированных ионов, деформации кристаллической решетки, электронной и магнитной микро- и макроструктур поверхностных слоев исследуемых материалов.

Розглянуто питання теорії області просторового заряду та поверхневої рекомбінації нерівноважних носіїв заряду. Наведено методи визначення параметрів і характеристики поверхневих станів. Запропоновано класифікацію поверхневих локальних центрів. Проаналізовано вплив поверхневої рекомбінації на час життя нерівноважних носіїв заряду, поверхневих рівнів на висоту потенціального бар'єра в області контакту метал-напівпровідник. Охарактеризовано швидкі та повільні поверхневі рівні.

Рассмотрены вопросы теории области пространственного заряда и поверхностной рекомбинации неуравновешенных носителей заряда. Приведены методы определения параметров и характеристики поверхностных состояний. Предложена классификация поверхностных локальных центров. Проанализировано влияние поверхностной рекомбинации на время жизни неуравновешенных носителей заряда, поверхностных уровней на высоту потенциального барьера в области контакта металл-полупроводник. Охарактеризованы быстрые и медленные поверхностные уровни.

Ключ. слова: SnS2, собственный оксид, нанообразования
Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.225

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлено модернізований варіант електронної теорії хемосорбції та каталізу на напівпровідниках (основоположник Л.В.Пісажарський, 1916 р., Київ). Наведено математичні моделі фізико-хімічних процесів, які протікають на поверхні напівпровідникових бінарних сполук типу оксидів металів у реальній газовій фазі. Визначено умови відсутності (адсорбції) та наявності фотоіонізації (фотоадсорбції). Описано кінетику взаємодії напівпровідника з киснем.

Представлен модернизированный вариант электронной теории хемосорбции и катализа на полупроводниках (основоположник Л.В.Писажарский, 1916 г., Киев). Приведены математические модели физико-химических процессов, протекающих на поверхности полупроводниковых бинарных соединений типа окисей металлов в реальной газовой фазе. Определены условия отсутствия (адсорбции) и наличия фотоионизации (фотоадсорбции). Описана кинетика взаимодействия полупроводника с кислородом.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225,021

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: ВА700549 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено об'ємоцентровану модель поверхні типу тверде тіло - тверде тіло й її узагальнення на випадок взаємодії дальших за найближчих сусідів, а також двосортної поверхні. На підставі методу трансфер-матриці досліджено основний стан одновимірних квантових спінових моделей. Показано, що врахування далекої взаємодії може приводити до появи конкуруючих взаємодій у квантовому ланцюжку, у той час як двосортній поверхні відповідає періодичний квантовий ланцюжок. Проаналізовано можливість опису поверхні GaAs у межах даних моделей.

Приведены объемоцентрированая модель поверхности типа твердое тело - твердое тело и ее обобщение на случай взаимодействия при дальнейших ближайших соседях, а также двухсортной поверхности. На основе метода трансфер-матрицы исследовано основное состояние одномерных квантовых спиновых моделей. Показано, что учет дальнего взаимодействия может привести к появлению конкурентных взаимодействий в квантовой цепи, в то время как двухсортной поверхности отвечает периодическая квантовая цепь. Проанализирована возможность описания поверхности GaAs в пределах данных моделей.

Ключ. слова: кремний, поверхность, работа выхода, электроны, хемосорбция
Індекс рубрикатора НБУВ: Г583.5 + В379.225

Рубрики:

Хемосорбція

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: екситон, згин зон, поверхня, відбивання
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ