Бази даних

Автореферати дисертацій - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Наукова електронна бібліотека (1)Реферативна база даних (65)Книжкові видання та компакт-диски (51)
Пошуковий запит: (<.>U=Г523$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7

      
1.

Борик В.В. 
Кристалохімія точкових дефектів та їх комплексів і термоелектричні властивості твердих розчинів на основі PbTe, SnTe, GeTe: автореф. дис. ... канд. хім. наук : 02.00.21 / В.В. Борик ; Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. — Івано-Франківськ, 2010. — 24 с. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.11
Шифр НБУВ: РА370585 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
2.

Сняла Ю. Ю. 
Природа точкових дефектів кадмій телуриду, легованого елементами V групи: автореф. дис. ... канд. хім. наук : 02.00.21 / Ю. Ю. Сняла ; Чернівец. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2010. — 18 с. — укp.

Встановлено, що у кристалах CdTe:As та СdТе:Р в області насичення кадмієм основними точковими дефектами є дефекти заміщення в підгратці телуру, які зумовлюють значне зниження концентрації електронів та електропровідності у порівнянні з нелегованим матеріалом. З'ясовано, що за високих концентраціях домішки утворюються донорні дефекти, які посилюють компенсаційні процеси. Встановлено умови, за яких термообробкою за високої температури під тиском пари кадмію кристали CdTe:Sb можна перевести у високоомний стан з метою застосування в нелінійній оптиці. Виявлено, що за умов високотемпературної рівноваги дефектів ванадій і бісмут у CdTe заміщують кадмій у вузлах кристалічної гатки, що проявляється у зростанні концентрації електронів у порівнянні з нелегованим матеріалом.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.11 + В379.222,022
Шифр НБУВ: РА371072 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
3.

Швалагін В.В. 
Спектральні та фотохімічні властивості метал-напівпровідникових нанокомпозитів на основі ZnO та CdS: Автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.04 / В.В. Швалагін ; НАН України. Ін-т фіз. хімії ім. Л.В.Писаржевського. — К., 2005. — 17 с. — укp.

Уперше встановлено існування кореляції між розміром нанокристалів ZnO та їх стабільністю до катодної фотокорозії. Виявлено симбатний вплив квантових ефектів просторового обмеження екситона та фотоіндукованої катодної поляризації на перебіг відновних процесів за участі фотогенерованих електронів зони провідності нанокристалів ZnO. Проведено аналіз еволюції спектральних характеристик композитних наночастинок ZnO/Ag у процесі їх формування. З'ясовано можливість спектральної сенсибілізації нанокристалів ZnO барвником метиленовим блакитним, що дозволяє проводити реакцію відновлення Ag(I) за дії видимого світла. Виявлено фотокаталітичну активність нанокомпозиту ZnO/Ag у реакції відновлення Cu(II) у спиртових розчинах, а також фотокаталітичну активність нанокомпозиту ZnO/Cu у реакції відновлення нітробензолу до аніліну у спиртових розчинах. Уперше фотохімічно одержано метал-напівпровідникові нанокомпозити ZnO/Ag/Cu, ZnO/Ag/Cd, ZnO/Ag/Zn. Досліджено кінетику їх утворення, вивчено спектральні властивості. Установлено, що швидкість фотокаталітичного відновлення катіонів Cd(II) на поверхні наночасток CdS зростає за умов зменшення розміру нанокристалів напівпровідника. Показано, що це явище обумовлено квантовими розмірними ефектами, зокрема, зростанням потенціалу зони провідності у разі зменшення розміру частнок напівпровідника. Одержано метал-напіпвровідникові нанокомпозити CdS/Ni, CdS/Co, CdS/Fe, установлено їх фотокаталітичну активність у реакції виділення молекулярного водню з водних розчинів сульфіту натрію.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: Г523 + В371.236,022 +
Шифр НБУВ: РА341097

Рубрики:

      
4.

Дмитрів А.М. 
Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості CdTe, HgTe та твердих розчинів на їх основі: Автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.21 / А.М. Дмитрів ; Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. — Івано-Франківськ, 2006. — 20 с. — укp.

Уперше запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння дефектної підсистеми нестехіометричних CdTe, HgTe n- і p-типу провідності, з використанням яких розраховано зміну концентрації дефектів і носіїв струму у межах області гомогенності. Уперше запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння переважаючих механізмів утворення твердих розчинів на основі кадмій телуриду n-типу у системі CdTe - ZnTe та p-типу у системі CdTe - MnTe.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: Г523,0 + В379.22,022 + З843.32 +
Шифр НБУВ: РА341889

Рубрики:

      
5.

Тріщук 
Фізико-хімічна взаємодія в системах AI2BVI-AIIBVI і вирощування монокристалів напівпровідників типу AIIBVI із розчину-розплаву: Автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.21 / Любомир Іванович Тріщук ; Прикарпатський національний ун-т ім. Василя Стефаника. — Івано-Франківськ, 2006. — 20 с.: рис. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: Г126.2-27 + Г523.11,0 + Г562.138,0
Шифр НБУВ: РА346629

Рубрики:

      
6.

Манілов А. І. 
Фізико-хімічні властивості гетероструктур Pd / пористий Si при взаємодії з воднем: автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / А. І. Манілов ; Київ. нац. ун- ім. Т. Шевченка. — К., 2011. — 16 с.: рис. — укp.

Вперше зареєстровано ефект залишкового нагромадження молекулярного водню за сорбції з атмосфери, за кімнатної температури, у структурах на основі вільних шарів поруватого кремнію (ПК) і Pd, та відповідну тривалу зміну електрофізичних характеристик. Запропоновано нову модель адсорбції воднеподібних частинок у ПК, яка враховує покриття стінок пор силановими групами й описує кінетику адсорбції у початкові моменти. Проведено порівняння вмісту водню у ПК для різної кількості осадженого Pd у вільних шарах і різної технології виготовлення порошків. Оцінено швидкість виділення водню за рахунок реакції порошків ПК з водою, зв'язаною у твердому тілі.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 + Г523.1,0
Шифр НБУВ: РА383753 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
7.

Стратійчук І.Б. 
Хімічна взаємодія нелегованого та легованого CdTe з травильними композиціями на основі розчинів системи Hsub2/sub Osub2/sub ~-~HBr: Автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.21 / І.Б. Стратійчук ; Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. — Івано-Франківськ, 2005. — 20 с. — укp.

Розроблено травильні композиції та режими обробки поверхні монокристалів зазначених напівпровідників. їх склади для ХМП і ХДП, розроблено методики підготовки високоякісних полірованих поверхонь.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: К637.400.86 + Г523,0 +
Шифр НБУВ: РА339541

Рубрики:
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського