Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Автореферати дисертацій - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (68) | Книжкові видання та компакт-диски (59) |
Пошуковий запит: (<.>U=З843.32$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 8 Представлено документи з 1 до 8 |
|||||
Категорія: Хімічні науки у цілому | |||||
| 1. | Гнатів Взаємодія монокристалів твердих розчинів ZnxCd1-xTe і CdxHg1-xTe з травильними композиціями H2O2-HBr-розчинник: автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.21 / Іван Іванович Гнатів ; НАН України; Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича. — К., 2007. — 20 с. — укp. Індекс рубрикатора НБУВ: Г122.425-27 + З843.32 Шифр НБУВ: РА352999 Рубрики: | ||||
Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка | |||||
| 2. | Скрипник М.В. Властивості фоточутливих діодних структур на основі монокристалічного телуриду кадмію: автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / М.В. Скрипник ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2009. — 20 с. — укp. Виявлено низку особливостей оптичних властивостей поверхневих шарів відпалених на повітрі підкладинок n-CdTe, які адекватно пояснюються у межах теорії квантово-розмірних ефектів. Зазначено, що підставі використання монокристалічного телуриду кадмію з широким спектром зміни його параметрів для створення поверхнево-бар'єрних діодів (ПБД) і анізотипних гетеропереходів (ГП) у сукупності з варіацією умов досліду (напруга, температура, рівень та спектральний склад освітлення) виділено з великого числа механізмів формування темнових і світлових характеристик діодів необхідний та детально його досліджено. Встановлено, що модифікація поверхні підкладинок n-CdTe призводить до підвищення у 1,5 - 3 рази висоти потенціального бар'єра ПБД і адекватного збільшення напруги холостого ходу. Виявлено, що спекр фоточутливості охоплює діапазон 1,3 - 5,0 еВ, а його межі визначаються типом діодної структури. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.32 + З852.2-03 + Шифр НБУВ: РА367456 Рубрики: | ||||
Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка | |||||
| 3. | Сун Вейгуо Інфрачервоні детектори на основі HgMnTe: фізичні і технологічні проблеми: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Сун Вейгуо ; Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2000. — 19 с. — укp. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.322 + В349.1 Шифр НБУВ: РА310363 Пошук видання у каталогах НБУВ Рубрики: | ||||
Категорія: Фізико-математичні науки | |||||
| 4. | Загоруйко Модифікація фізичних властивостей широкозонних напівпровідників AIIBVI для отримання термостабільних елементів та гетероструктур для оптоелектроніки: Автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.02.01 / Юрій Анатолійович Загоруйко ; НАН України; Інститут монокристалів. — Х., 2003. — 40 с.: рис., табл. — укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 + З843.324,022 Шифр НБУВ: РА327175 Рубрики: | ||||
Категорія: Фізико-математичні науки | |||||
| 5. | Кришеник В.М. Наведена анізотропія та релаксаційні ефекти в аморфних халькогенідах: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / В.М. Кришеник ; Ужгород. нац. ун-т. — Ужгород, 2005. — 20 с. — укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,022 + З843.324-06 + Шифр НБУВ: РА340914 Рубрики: | ||||
Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка | |||||
| 6. | Каверцев С.В. Теоретичні аспекти технології вирощування та наступної обробки напівпровідникових твердих розчинів на основі сполук {AsupII/supBsupVI/sup}: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / С.В. Каверцев ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 1999. — 18 с. — укp. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.32-06 Рубрики: | ||||
Категорія: Хімічні науки у цілому | |||||
| 7. | Дмитрів А.М. Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості CdTe, HgTe та твердих розчинів на їх основі: Автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.21 / А.М. Дмитрів ; Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. — Івано-Франківськ, 2006. — 20 с. — укp. Уперше запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння дефектної підсистеми нестехіометричних CdTe, HgTe n- і p-типу провідності, з використанням яких розраховано зміну концентрації дефектів і носіїв струму у межах області гомогенності. Уперше запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння переважаючих механізмів утворення твердих розчинів на основі кадмій телуриду n-типу у системі CdTe - ZnTe та p-типу у системі CdTe - MnTe. Індекс рубрикатора НБУВ: Г523,0 + В379.22,022 + З843.32 + Шифр НБУВ: РА341889 Рубрики: | ||||
| 8. | Білевич Є.О. Формування полірованої поверхні монокристалів телуриду кадмію та твердих розчинів на його основі в травильних композиціях HNOsub3/sub - HHal - комплексоутворювач для приладів електронної техніки: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Є.О. Білевич ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 2002. — 19 с. — укp. З використанням математичного планування експерименту побудовано поверхні однакових швидкостей травлення (діаграми Гіббса) вказаних напівпровідників у досліджуваних системах розчинів з використанням ацетатної, лактатної, тартної та цитратної кислот як комплексоутворювача та хлоридної, бромидної та йодидної як галогенідних кислот. На підставі результатів аналізу та методами електронно-зондового мікроаналізу, рентгенівської фотоелектронної спектроскопії поверхневих плівок, які утворюються після кислотного травлення, встановлено, що дані плівки неоднорідні та збагачені, в основному, оксидами телуру, а шорсткість поверхні змінюється в межах від 0,2 до 0,1 мкм. Установлено вплив хімічної обробки поверхні на електрофізичні параметри структур Au - p - CdTe. У досліджених системах оптимізовано склад полірувальних травильних композицій, розроблено режими та методи підготовки полірованих поверхонь телуриду кадмію та твердих розчинів на його основі, випробуваних за заводських умов. Індекс рубрикатора НБУВ: з843.32 Шифр НБУВ: РА317174 Пошук видання у каталогах НБУВ Рубрики: | ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського